申请/专利权人:高通股份有限公司
申请日:2018-11-07
公开(公告)日:2024-04-16
公开(公告)号:CN111448665B
主分类号:H01L29/66
分类号:H01L29/66;H01L29/737;H01L29/06;H01L29/08
优先权:["20171207 US 15/834,100"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.16#授权;2020.08.18#实质审查的生效;2020.07.24#公开
摘要:在某些方面,异质结双极晶体管HBT包括集电极台面502、集电极台面上的基极台面504以及基极台面上的发射极台面。发射极台面具有多个开口510。HBT还包括在连接到基极台面的多个开口中的多个基极金属514。
主权项:1.一种异质结双极晶体管HBT,包括:集电极台面;基极台面,在所述集电极台面上;发射极台面,在所述基极台面上,其中所述发射极台面布置成具有多个开口的网状结构;以及多个基极金属,在连接到所述基极台面的所述多个开口中,其中所述多个开口提供围绕所述多个基极金属的窗口,还包括被布置在所述发射极台面外部并围绕所述发射极台面并连接到所述基极台面的外部基极金属,其中所述多个基极金属和所述外部基极金属电耦合,其中所述外部基极金属被布置为围绕所述发射极台面,并且其中所述外部基极金属通过另一金属层连接到所述多个基极金属。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 高通股份有限公司 针对RF应用的异质结双极晶体管中的发射极-基极网格结构
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