申请/专利权人：思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司

申请日：2022-09-13

公开（公告）日：2024-01-23

公开（公告）号：CN115390611B

主分类号：G05F1/56

分类号：G05F1/56

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.23#授权;2022.12.13#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要：本发明公开了一种带隙基准电路、基极电流补偿方法及芯片，带隙基准电路包括：带隙集电极单元以及补偿单元。带隙集电极单元包括第一三极管和N个第二三极管。补偿单元包括：电流采样单元和电流复制单元。电流采样单元与第一三极管的基极相连以获得采样电流；电流复制单元与电流采样单元相连以接收采样电流，电流复制单元与第一三极管的基极相连以输出补偿电流。本发明的带隙基准电路，通过电流采样单元获得采样电流，再通过电流复制单元输出与采样电流成比例的补偿电流以对第一三极管和第二三极管的基极电流进行补偿，使得第一电阻上的电流成为一阶的PTAT电流，且在不同corner工艺角下，即使β值大小不同，也能使用温漂一点校准方法。

主权项：1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：带隙集电极单元，包括第一三极管和N个第二三极管，N个所述第二三极管的基极与第一三极管的基极连接，所述第一三极管的基极和集电极相连，N个所述第二三极管的发射极与第一电阻的第一端相连，所述第一电阻的第二端与地相连，所述第一三极管的发射极与地相连，N≥1；以及补偿单元，所述补偿单元包括：电流采样单元，与第一三极管的基极相连以获得与第一三极管的基极电流成比例的采样电流，所述电流采样单元包括第三三极管和第四三极管，所述第三三极管的基极与第一三极管的基极相连，所述第三三极管的发射极与地相连，所述第四三极管的发射极与第三三极管的集电极相连，所述第四三极管的基极与电流复制单元相连，所述第四三极管的集电极与电源电压相连；电流复制单元，与电流采样单元相连以接收采样电流，所述电流复制单元同时与第一三极管的基极相连以输出与采样电流成比例的补偿电流。

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