申请/专利权人：华南理工大学

申请日：2024-03-11

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117873258A

主分类号：G05F1/56

分类号：G05F1/56

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种无片外电容式的LDO及其自适应衬底驱动电路，涉及涉及调节电变量或磁变量的系统，针对现有技术中PSRR提升不佳的问题提出本方案。LDO前置一P缓冲级，所述P缓冲级用于在反馈控制回路中对功率管的控制输入进行缓冲以及令功率管的控制输入与电源纹波之间形成前馈通路。所述自适应衬底驱动电路应用于所述LDO，采样LDO的输出电压和电源纹波后以自适应增益注入到LDO的功率管衬底端；用于跟随LDO的电路状态以自适应前馈进行纹波抵消，实现前馈增益的自适应调节。优点在于，通过加入前馈通路将gm影响降至最低，达到提升PSRR的效果。另一方面考虑功率管中gds的影响，采样后以自适应增益注入到功率管的衬底端，具备自适应调节功能。

主权项：1.一种无片外电容式的LDO，其特征在于，前置一P缓冲级（H1），所述P缓冲级（H1）用于在反馈控制回路中对功率管（Mp）的控制输入进行缓冲以及令功率管（Mp）的控制输入与电源纹波（Vin）之间形成前馈通路；误差放大器（EA）的正相输入端连接反馈电压（Vfb），误差放大器（EA）的反相输入端连接第一参考电压（Vref1），误差放大器（EA）的输出端连接第一MOS管（M1）的栅极；第一MOS管（M1）的源极连接栅极节点（Vg），第一MOS管（M1）的漏极接地；第二MOS管（M2）的源极连接电源纹波（Vin），第二MOS管（M2）的漏极连接栅极节点（Vg），第二MOS管（M2）栅极经过一低通滤波器后连接电源纹波（Vin）；功率管（Mp）的源极连接电源纹波（Vin），功率管（Mp）的漏极串接RC输出级后接地，功率管（Mp）的栅极连接栅极节点（Vg）；功率管（Mp）的漏极和RC输出级之间的节点电压为输出电压（Vo）；第一反馈电阻（Rf1）一端连接输出电压（Vo），另一端经过第二反馈电阻（Rf2）接地并作为第一参考电压（Vref1）的输出反馈至所述误差放大器（EA）；所述P缓冲级（H1）由第一MOS管（M1）和第二MOS管（M2）组成，第二MOS管（M2）用于形成所述前馈通路；所述反馈控制回路由第一反馈电阻（Rf1）、误差放大器（EA）、第一MOS管（M1）、功率管（Mp）组成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学 一种无片外电容式的LDO及其自适应衬底驱动电路

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