申请/专利权人：圆周率半导体(南通)有限公司

申请日：2023-11-14

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117241505B

主分类号：H05K3/46

分类号：H05K3/46;H05K3/40;H05K3/00;H05K3/42;H05K3/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2024.01.02#实质审查的生效;2023.12.15#公开

摘要：本发明公开了一种提升多层有机基板C4‑PAD铜厚均匀性的方法，根据残铜率的大小匹配两种铺铜方式，适用于不同类型的产品。调整在单PCS中除所述区域A外的焊接位置区域B和板框非线路位置区域C处的dummy图形，当单PCS中C4‑PAD区域A中残铜率≤70%，所述B区域和所述C区域按照所述区域A内预设PAD的尺寸铺设dummyPAD，当单PCS中C4‑PAD区域A中残铜率＞70%，所述B区域和C区域通过图形转移的方式铺设dummy铜层，使得非有效图形位置和C4‑PAD图形位置的残铜率保持一致，在电镀的过程中可分担的电流也趋于一致，最终保证铜厚均匀性R值≤2um。

主权项：1.一种改善提升多层有机基板C4-PAD铜厚均匀性的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：S01:制作芯板层，芯板层由双面板或者多层板一次性压合，通过钻孔的形式形成导通；S02:ABF薄膜压合，在芯板层的正反两面分别压合ABF薄膜；S03:镭射钻孔，通过CO2激光器或UV激光器在ABF薄膜上激光烧蚀出盲孔；S04:除胶和化学沉铜，通过化学方式去除激光烧蚀出盲孔后的胶渣，以及通过化学沉铜的方式在所述盲孔底部和ABF薄膜表面沉积铜层作为导电层，导电层的厚度为1-2μm；S05:图形转移，该步骤包括贴干膜-曝光-显影，曝光的干膜形成抗镀层，未被曝光的干膜通过显影药水去除，显影药水去除的干膜位置作为后续电镀铜的位置开窗露出；S06:电镀铜，通过InCAMPro软件计算单PCS中C4-PAD区域A内的残铜率、PAD的尺寸以及PAD间距；若单PCS中C4-PAD区域A中残铜率≤70％，则在所述区域A根据客户设计图电镀预设PAD，同步直接在单PCS中除所述区域A外的焊接位置区域B和板框非线路位置区域C处铺设dummyPAD；若单PCS中C4-PAD区域A中残铜率＞70％，则在所述区域A根据客户设计图电镀预设PAD，同步在单PCS中除所述区域A外的焊接位置区域B和板框非线路位置区域C处铺设dummy铜层；S07:去膜+闪蚀，利用化学方法去除步骤S05中被曝光的干膜，露出底部余下的导电层，再通过闪蚀的方式，去除所述余下的导电层，形成图案化线路层；S08:表面处理及防焊；S09:压机压烤、成型及成品检验；压机压烤，将多层有机基板放入压机进行压平；成型，将单PCS从板框中切割成为成品；成品检验，通过测试机对所述成品进行检验，将不合格的产品剔除。

全文数据：

权利要求：

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