申请/专利权人：上海维安半导体有限公司

申请日：2023-11-07

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117220255B

主分类号：H02H9/04

分类号：H02H9/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2023.12.29#实质审查的生效;2023.12.12#公开

摘要：本发明提供一种阻断型浪涌保护器，涉及电子器件保护技术领域，包括：第一引脚连接外部电源的高压侧；第二引脚连接外部电源的低压侧；外部的被保护单元接在第三引脚和第四引脚之间；第一浪涌防护单元连接在第二引脚与第四引脚之间，第一浪涌防护单元还连接第一引脚，用于在低压侧出现浪涌时关断从而阻断浪涌从第二引脚通过第四引脚流向被保护单元；第二浪涌防护单元连接在第一引脚和第三引脚之间，用于在高压侧出现浪涌时关断从而阻断浪涌流从第一引脚通过第三引脚流向被保护单元。有益效果是解决传统设计中量产难、稳定性差、良率低、成本高的问题，阻断电源出现的浪涌，防止浪涌电流流向后级的被保护单元，起到阻断特性的浪涌防护。

主权项：1.一种阻断型浪涌保护器，其特征在于，包括：第一引脚，所述第一引脚连接外部电源的高压侧；第二引脚，所述第二引脚连接外部电源的低压侧；外部的被保护单元接在第三引脚和第四引脚之间；第一浪涌防护单元连接在所述第二引脚与所述第四引脚之间，所述第一浪涌防护单元还连接所述第一引脚，用于在所述低压侧出现浪涌时关断从而阻断所述浪涌从所述第二引脚通过所述第四引脚流向所述被保护单元；第二浪涌防护单元连接在所述第一引脚和所述第三引脚之间，用于在所述高压侧出现浪涌时关断从而阻断所述浪涌流从所述第一引脚通过所述第三引脚流向所述被保护单元；所述第一浪涌防护单元包括：第一控制单元，所述第一控制单元的第一接线端连接所述第一引脚，所述第一控制单元的接地端接地；第一场效应晶体管，所述第一场效应晶体管的栅极连接所述第一控制单元的第三接线端，所述第一场效应晶体管的漏极连接所述第一控制单元的第二接线端和所述第二引脚，所述第一场效应晶体管的源极连接所述第四引脚；所述第一控制单元用于在所述低压侧出现浪涌时关断所述第一场效应晶体管以阻断所述浪涌从所述第二引脚通过所述第四引脚流向所述被保护单元；则所述第二浪涌防护单元包括：第二控制单元，所述第二控制单元的第一接线端连接所述第一引脚，所述第二控制单元的接地端接地；第二场效应晶体管，所述第二场效应晶体管的栅极连接所述第二控制单元的第二接线端，所述第二场效应晶体管的源极极连接所述第二控制单元的第一接线端，所述第二场效应晶体管的漏极连接所述第三引脚；所述第二控制单元用于在所述高压侧出现浪涌时关断所述第二场效应晶体管以阻断所述浪涌流从所述第一引脚通过所述第三引脚流向所述被保护单元；所述第一场效应晶体管为N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；所述第二场效应晶体管为P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海维安半导体有限公司 一种阻断型浪涌保护器

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