申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2021-06-07

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN113544621B

主分类号：G05F1/56

分类号：G05F1/56

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.11.09#实质审查的生效;2021.10.22#公开

摘要：在某些方面，一种用于功率泄漏阻断的电路可以包括电压生成电路，该电压生成电路包括在负输入处连接到参考电压并且向第一晶体管的栅极提供输出的放大器。第一晶体管的漏极电压可以反馈至放大器的正输入。电压生成电路可以在第一晶体管的源极处接收第一电压。电压生成电路可以在第一晶体管的漏极处供应第二电压。该电路还可以包括晶体管对。该晶体管对可以包括第二晶体管和第三晶体管。该晶体管对的相应衬底可以连接到第一晶体管的衬底。该晶体管对的栅极可以根据第一电压和第二电压之间的比较来控制，使得一次仅导通该晶体管对中的一个。

主权项：1.一种电路，包括：电压生成电路，其包括在负输入处连接到参考电压并向第一晶体管的栅极提供输出的放大器，其中，所述第一晶体管的漏极电压被反馈到所述放大器的正输入，其中，所述电压生成电路在所述第一晶体管的源极处接收第一电压，并且其中，所述电压生成电路在所述第一晶体管的漏极处提供第二电压；泄漏跟踪偏置生成器电路，其包括电阻器，其中，基于所述第一电压和所述第二电压借助于通过所述电阻器的模拟电流来模仿通过所述第一晶体管的泄漏电流；以及晶体管对，其包括第二晶体管和第三晶体管，所述晶体管对的相应衬底连接到所述第一晶体管的衬底，其中，根据基于所述模拟电流生成并且指示所述第一电压和所述第二电压之间的比较的控制电压来控制所述晶体管对的栅极，使得一次仅导通所述晶体管对中的一个。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 低压降调节器中的功率泄漏阻断

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