申请/专利权人：汉轩微电子制造(江苏)有限公司;徐州爱易翰林院企业管理中心(有限合伙);芯智想半导体技术(上海)有限公司

申请日：2024-02-01

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117672976B

主分类号：H01L21/8249

分类号：H01L21/8249;H01L27/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本发明公开了一种BJT组合图腾柱驱动器件的制造方法，属于半导体技术领域，该BJT组合图腾柱驱动器件的制造方法，包括以下步骤：提供N型掺杂的衬底，并在衬底上制作第一电阻、第二电阻、NPN三极管、PNP三极管和NMOS管，其中，第一电阻和第二电阻通过填充多晶硅形成；使用金属引线将第一电阻的第二侧与NPN三极管和PNP三极管的基极相连，以及将第二电阻的第一侧与NPN三极管的发射极和PNP三极管的发射极相连，还将第二电阻的第二侧与NMOS管的栅极相连。通过将图腾柱驱动电路所需的各器件集成到NMOS管中，可以降低器件成本，减少系统的占用空间。

主权项：1.一种BJT组合图腾柱驱动器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供N型掺杂的衬底，并在所述衬底上制作第一电阻、第二电阻、NPN三极管、PNP三极管和NMOS管，其中，所述第一电阻和所述第二电阻通过填充多晶硅形成；使用金属引线将所述第一电阻的第二侧与所述NPN三极管和PNP三极管的基极相连，以及将所述第二电阻的第一侧与所述NPN三极管的发射极和所述PNP三极管的发射极相连，还将所述第二电阻的第二侧与所述NMOS管的栅极相连。

全文数据：

权利要求：

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