申请/专利权人：湘潭大学

申请日：2021-05-12

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN113314470B

主分类号：H01L23/00

分类号：H01L23/00;H10B80/00;H05K1/18;H05K3/34

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2021.09.14#实质审查的生效;2021.08.27#公开

摘要：本发明公开了一种集成含能半导体桥的可自毁芯片器件封装结构和方法，封装结构中控制芯片安装于含能半导体芯片与储存芯片之间，引线连接含能半导体芯片和PCB板；含能半导体芯片包括有半导体桥层、铝热剂含能层以及设置于半导体桥层和铝热剂含能层之间的聚酰亚胺薄膜；控制芯片包括用于检测周围环境的传感模块，还包括将传感模块检测的环境信息与预设的启动条件进行比对的比对模块，比对模块依据比对结果发送信号至PCB板，PCB板根据接收的信号控制半导体桥层放热使铝热剂含能层点火。本发明的封装结构具有简单实用、可靠性高、能够封装于常规芯片上且作用条件可以调节等优点，封装方法具有步骤简单和实施方便等优点。

主权项：1.一种集成含能半导体桥的可自毁芯片器件封装结构，封装于PCB板上的需要装设自毁装置的储存芯片1上，其特征在于：包括含能半导体芯片2、控制芯片3和引线4，所述控制芯片3安装于含能半导体芯片2与储存芯片1之间，所述引线4连接含能半导体芯片2和PCB板；所述含能半导体芯片2包括有半导体桥层21、铝热剂含能层22以及设置于半导体桥层21和铝热剂含能层22之间的聚酰亚胺薄膜23；所述控制芯片3包括用于检测周围环境的传感模块，还包括将传感模块检测的环境信息与预设的启动条件进行比对的比对模块，所述比对模块依据比对结果发送信号至PCB板，所述PCB板根据接收的信号控制半导体桥层21放热使铝热剂含能层22点火；所述含能半导体芯片2还包括硅基底24、二氧化硅层25、钛层26、金层27和氧化铜层28；所述含能半导体芯片2从靠近控制芯片3至远离控制芯片3的方向依次设置硅基底24、二氧化硅层25、半导体桥层21、聚酰亚胺薄膜23、钛层26、金层27、氧化铜层28和铝热剂含能层22。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湘潭大学 一种集成含能半导体桥的可自毁芯片器件封装结构和方法

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