申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2024-01-22

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117872588A

主分类号：G02B27/00

分类号：G02B27/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本公开提供一种耦合器结构优化方法，涉及集成光电子器件设计领域，其包括：确定耦合器耦合区中每个波导对应边线的多个离散的初始控制点；将每个波导边线上对应的多个初始控制点进行拟合，形成初始边线；采用第一相关运算，分别对多个初始控制点进行优化，得到多个目标控制点，采用第二相关运算将多个目标控制点拟合成平滑的目标边线，得到每个波导的目标形状。本公开在绝热耦合器的基础上采用逆向设计的方法，将伴随优化算法与B样条曲线形状优化相结合，进一步优化波导的形状，使得器件具有更小的尺寸，更高的带宽，更小的制造精度要求，并且对制造误差具有较大的容忍度。

主权项：1.一种耦合器结构优化方法，其特征在于，包括：确定耦合器耦合区中每个波导对应边线的多个离散的初始控制点；将每个所述波导边线上对应的多个初始控制点进行拟合，形成初始边线；采用第一相关运算，分别对多个所述初始控制点进行优化，得到多个目标控制点，采用第二相关运算将所述多个目标控制点拟合成平滑的目标边线，得到每个所述波导的目标形状。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 耦合器结构优化方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD