申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-10-09

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878121A

主分类号：H01L27/092

分类号：H01L27/092;H01L21/8238

优先权：["20221011 KR 10-2022-0129835","20230302 KR 10-2023-0027846"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.12#公开

摘要：一种半导体装置包括：基板，其包括第一表面和第二表面；第一源极漏极图案，其设置在基板的第一表面上；第二源极漏极图案，其设置在基板的第一表面上；第一源极漏极触点，其设置在第一源极漏极图案上并且连接到第一源极漏极图案；第二源极漏极触点，其设置在第二源极漏极图案上并且连接到第二源极漏极图案；后布线，其设置在基板的第二表面上；第一接触连接穿通件，其将后布线与第一源极漏极触点连接；第二接触连接穿通件，其将后布线与第二源极漏极触点连接并且与第一接触连接穿通件间隔开；以及气隙结构，其设置在第一接触连接穿通件和第二接触连接穿通件之间。

主权项：1.一种半导体装置，包括：基板，其包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；第一源极漏极图案，其设置在所述基板的所述第一表面上；第二源极漏极图案，其设置在所述基板的所述第一表面上并且在第二方向上与所述第一源极漏极图案间隔开；第一源极漏极触点，其设置在所述第一源极漏极图案上并且连接到所述第一源极漏极图案；第二源极漏极触点，其设置在所述第二源极漏极图案上并且连接到所述第二源极漏极图案；后布线，其设置在所述基板的所述第二表面上；第一接触连接穿通件，其将所述后布线与所述第一源极漏极触点连接；第二接触连接穿通件，其将所述后布线与所述第二源极漏极触点连接并且在所述第二方向上与所述第一接触连接穿通件间隔开；以及气隙结构，其设置在所述第一接触连接穿通件和所述第二接触连接穿通件之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体装置

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