申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2021-05-31

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN113394106B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.12#授权;2021.10.01#实质审查的生效;2021.09.14#公开

摘要：本发明提供一种FinFET结构的抗穿通掺杂方法，硅基底上形成多个包括Fin结构、缓冲层和硬掩膜层的叠层；叠层分为第一、第二结构；在叠层侧壁形成第一侧墙；沉积有机分布层；刻蚀将Fin结构侧壁部分暴露；使其将Fin结构的部分包裹；形成第二侧墙使与有机分布层直接接触的Fin结构侧壁部分暴露；在第一、第二结构上及硅基底覆盖BSG层；去除第二结构上的BSG层；在第二结构上覆盖PSG层；退火使第一结构中Fin结构侧壁的BSG层中的硅和第二结构中Fin结构侧壁的PSG层中的磷分别向Fin结构内部侧向扩散；使硅基底上的BSG层中的硅和PSG层中的磷向硅基底内扩散；覆盖氧化层并刻蚀将第一、第二结构上的硬掩膜层暴露；刻蚀氧化层、BSG层及PSG层，将Fin结构中被扩散部分的上端暴露。

主权项：1.一种FinFET结构的抗穿通掺杂方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供硅基底，在所述硅基底上刻蚀形成多个Fin结构，所述Fin结构上形成有缓冲层；所述缓冲层上形成有硬掩膜层；所述Fin结构、缓冲层以及硬掩膜层构成叠层，其中用作NMOS的所述叠层为第一结构；用作PMOS的所述叠层为第二结构；步骤二、在所述叠层的侧壁形成第一侧墙；步骤三、沉积覆盖所述叠层及其上所述第一侧墙、所述硅基底上表面的有机分布层；之后沿所述叠层的侧壁刻蚀所述有机分布层以及所述第一侧墙至将所述Fin结构的侧壁部分暴露为止；所述Fin结构的底部仍保留一部分所述第一侧墙；所述硅基底上仍剩余所述有机分布层；步骤四、在剩余的所述有机分布层上继续沉积有机分布层，使其将所述Fin结构的部分包裹；之后在所述有机分布层上方的所述Fin结构部分、所述缓冲层以及所述硬掩膜层的侧壁形成第二侧墙；步骤五、将所述有机分布层全部去除，与所述有机分布层直接接触的所述Fin结构的侧壁部分被暴露；步骤六、在所述第一、第二结构上以及硅基底上表面覆盖一层BSG层；步骤七、去除所述第二结构上的所述BSG层，保留所述第一结构上的所述BSG层；之后在所述第二结构上覆盖一层PSG层；步骤八、进行退火，以使所述第一结构中Fin结构侧壁的BSG层中的硼和所述第二结构中Fin结构侧壁的PSG层中的磷分别向所述Fin结构内部进行侧向扩散；同时使得所述硅基底上表面的所述BSG层中的硼和所述PSG层中的磷分别向所述硅基底上表面下方的硅基底内部进行扩散；步骤九、在所述第一、第二结构上覆盖一层氧化层以填充所述第一、第二结构之间的空间，之后刻蚀该氧化层将所述第一、第二结构上的所述硬掩膜层顶部暴露；步骤十、刻蚀所述氧化层、所述BSG层以及所述PSG层，将所述Fin结构中未被扩散的部分完全暴露，同时将所述Fin结构中被扩散部分的上端暴露。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种FinFET结构的抗穿通掺杂方法

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