申请/专利权人：广州大学

申请日：2023-12-07

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117873262A

主分类号：G05F1/567

分类号：G05F1/567

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种具有自偏置升压结构的基准电压源电路及其控制方法，该电路包括辅助基准电压源、模拟缓冲器、MOS电容、第一自偏置电流源和多输出有源负载。该控制方法包括：通过辅助基准电压源获取辅助基准电压；通过源极跟随器对辅助基准电压进行跟随复制处理；复制后的电压为多输出有源负载支路供电；通过多输出有源负载中不同阈值MOS管栅源电压的作用，得到三输出基准电压；第三基准电压通过电压跟随器为辅助基准电压源负端偏置，使辅助基准电压升压。本发明能够在低电源电压下提供较高精度的多输出基准电压并降低基准电压源电路的能耗。本发明作为一种具有自偏置升压结构的基准电压源电路及其控制方法，可广泛应用于集成电路设计技术领域。

主权项：1.一种具有自偏置升压结构的基准电压源电路，其特征在于，包括辅助基准电压源、模拟缓冲器、MOS电容、第一自偏置电流源和多输出有源负载，所述辅助基准电压源包括第二自偏置电流源和辅助基准电压源有源负载，所述模拟缓冲器包括源极跟随器和电压跟随器，所述辅助基准电压源的输出端与所述模拟缓冲器中的所述源极跟随器的输入端连接，所述源极跟随器的第一输出端与所述MOS电容的栅极连接，所述源极跟随器的第二输出端与所述第一自偏置电流源的漏极连接，所述多输出有源负载的第三输出端与所述模拟缓冲器中的所述电压跟随器的输入端连接，所述电压跟随器的输出端与所述辅助基准电压源的负端连接，其中：所述辅助基准电压源用于输出辅助基准电压；所述源极跟随器用于对所述输出辅助基准电压进行跟随处理，得到预处理后的辅助基准电压；所述MOS电容用于提升COMS基准电压源电路的电源抑制比；所述多输出有源负载通过不同阈值MOS管之间的栅源电压作用，得到三输出基准。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广州大学 一种具有自偏置升压结构的基准电压源电路及其控制方法

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