申请/专利权人：西南技术物理研究所

申请日：2023-12-01

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878131A

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明属于光电技术领域，公开了一种集成转接板的高像素密度APD阵列芯片的制备方法，高像素密度APD阵列芯片包括转接板和高像素密度APD阵列。其中，转接板对APD阵列芯片既有支撑作用，又有电性能转接作用。APD阵列芯片的制备方法包括以下步骤：S1，正面主结掺杂；S2，背面深孔刻蚀；S3，绝缘层制备Ⅰ；S4，正面硅外延；S5，正面接触层掺杂；S6，背面填孔；S7，平坦化；S8，绝缘层制备Ⅱ；S9，电极制备；S10，正面增透层制备。本发明属于一种耗尽层达微米级厚度的高像素密度APD阵列芯片的制备方法。

主权项：1.一种集成转接板的高像素密度APD阵列芯片的制备方法，其特征在于，APD阵列芯片包括：转接板和高像素密度APD阵列；转接板为体硅材料制备，通过光刻、扩散掺杂、深孔刻蚀和填孔实现转接板正面、背面的电性能连通，并形成与高像素密度APD阵列对应的点阵连通结构；高像素密度APD阵列为基于硅外延材料的PIN结构的APD阵列，硅外延材料是采用硅基转接板作为衬底通过硅外延制备获得；转接板中的柱状金属为填孔材料，形成与APD像素点对应的阵列排布，其将光敏芯片像素点的电特性引至转接板底部表面，实现与读出电路的互连。；所述制备方法包括以下步骤：S1，正面主结掺杂；S2，背面深孔刻蚀；S3，绝缘层制备Ⅰ；S4，正面硅外延；S5，正面接触层掺杂；S6，背面填孔；S7，平坦化；S8，绝缘层制备Ⅱ；S9，电极制备；S10，正面增透层制备；通过划片分割后，获得集成转接板的高像素密度APD阵列芯片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西南技术物理研究所 一种集成转接板的高像素密度APD阵列芯片的制备方法

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