申请/专利权人：华为技术有限公司

申请日：2022-09-30

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855303A

主分类号：H01L31/0352

分类号：H01L31/0352;H01L31/107

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：本申请实施例公开了一种雪崩光电二极管APD、相关设备和网络，用于降低APD的过剩噪声。本申请实施例提供的APD包括：吸收层、倍增层和第一欧姆接触层。倍增层包括在第一平面上分布的多个倾斜电场结构。吸收层和第一欧姆接触层在第一平面的不同侧，在吸收层上产生的载流子穿过多个倾斜电场结构，传输至第一欧姆接触层。多个倾斜电场结构用于加速载流子。

主权项：1.一种雪崩光电二极管APD，其特征在于，包括：吸收层、倍增层和第一欧姆接触层；所述倍增层包括在第一平面上分布的多个倾斜电场结构；所述吸收层和所述第一欧姆接触层在所述第一平面的不同侧，在所述吸收层上产生的载流子穿过所述多个倾斜电场结构，传输至所述第一欧姆接触层；所述多个倾斜电场结构用于加速所述载流子。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华为技术有限公司 一种雪崩光电二极管APD、相关设备和网络

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