申请/专利权人:西南技术物理研究所
申请日:2023-12-08
公开(公告)日:2024-03-29
公开(公告)号:CN117790614A
主分类号:H01L31/107
分类号:H01L31/107;H01L31/028;H01L31/18
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开
摘要:本发明公开了一种双波段GeSiAPD光电探测器,其包括:硅分离吸收区、电荷收集区和倍增区,形成SACM的Si‑APD;还包括Ge材料的SACM‑APD结构;SiSACM‑APD用来探测400nm~1000nm范围的波长,GeSACM‑APD用来探测900nm~1400nm波长。本发明打破单波段目标探测的局限性,可以对目标同时进行可见光、红外两个波段的搜索,且体积小、价格低、重量轻、功耗小。
主权项:1.一种双波段GeSiAPD光电探测器,其特征在于,包括:硅分离吸收区、电荷收集区和倍增区,形成SACM的Si-APD;还包括Ge材料的SACM-APD结构;SiSACM-APD用来探测400nm~1000nm范围的波长,GeSACM-APD用来探测900nm~1400nm波长。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 西南技术物理研究所 一种双波段Ge/Si APD光电探测器
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