申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878146A

主分类号：H01L29/66

分类号：H01L29/66;H01L29/78;H01L21/336;B82Y30/00;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本公开提供一种硅基量子模拟器及其制备方法，硅基量子模拟器包括：依次叠加的硅衬底、衬底绝缘层和工作部；其中，工作部包括第一工作部和第二工作部；第一工作部包括沿第一方向顺序连接的源区硅电导台面、硅纳米线周期网络结构、漏区硅电导台面，以及覆盖它们的栅绝缘层；第二工作部包括条栅电极电导台面；条栅电极电导台面的条栅部分沿第二方向覆盖与硅纳米线周期网络结构相对应的栅绝缘层，且第一方向与第二方向互相垂直；硅纳米线周期网络结构的沟道内分布有多个类氢杂质原子量子点，用于调控载流子的量子输运；以及条栅电极电导台面用于调制硅纳米线周期网络结构的栅势垒和类氢杂质原子量子点的费米能级深度。

主权项：1.一种硅基量子模拟器，其特征在于，包括：依次叠加的硅衬底、衬底绝缘层和工作部；其中，所述工作部包括第一工作部和第二工作部；所述第一工作部包括沿第一方向顺序连接的源区硅电导台面、硅纳米线周期网络结构、漏区硅电导台面，以及覆盖所述源区硅电导台面、所述硅纳米线周期网络结构和所述漏区硅电导台面的栅绝缘层；所述第二工作部包括条栅电极电导台面；所述条栅电极电导台面的条栅部分沿第二方向覆盖与所述硅纳米线周期网络结构相对应的所述栅绝缘层，且所述第一方向与所述第二方向互相垂直；所述硅纳米线周期网络结构的沟道内分布有多个类氢杂质原子量子点，用于调控载流子的量子输运；以及所述条栅电极电导台面用于调制所述硅纳米线周期网络结构的栅势垒和所述类氢杂质原子量子点的费米能级深度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 硅基量子模拟器及其制备方法

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