申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877986A

主分类号：H01L21/34

分类号：H01L21/34;H01L21/477;H01L29/786

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本公开提供了一种多晶体结构的铟镓氧的制备方法、晶体管器件的制备方法及晶体管器件，可以应用于半导体制造领域。该多晶体结构的铟镓氧的制备方法包括：在基底的栅氧化层表面生长铟镓氧薄膜，得到待晶化材料；其中，待晶化材料表征为薄膜晶体管的沟道层；对待处理沟道进行尖峰退火处理，得到目标物，其中，目标物表征为具有多晶体结构的铟镓氧。

主权项：1.一种多晶体结构的铟镓氧的制备方法，包括：在基底的栅氧化层表面生长铟镓氧薄膜，得到待晶化材料；其中，所述待晶化材料表征为薄膜晶体管的沟道层；对所述待晶化材料进行尖峰退火处理，得到目标物，其中，所述目标物表征为具有多晶体结构的铟镓氧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 多晶体结构的铟镓氧的制备方法和晶体管器件的制备方法

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