申请/专利权人：烟台大学

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117861736A

主分类号：B01L3/00

分类号：B01L3/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明适用于微流体芯片技术领域，提供了一种高减阻效率的微通道制备方法以及微通道，所述制备方法包括：以单晶硅片为基底，通过电化学刻蚀技术和光刻技术加工主通道，所述主通道用于流通流体；所述主通道的底面上沿主通道延伸方向划分有至少两个微结构分段，对不同微结构分段分别加工不同微结构；对所述主通道顶部覆加盖板并密封。在主通道上加工微结构，不同微结构表面的减阻能力不同，可以用滑移长度来表征，滑移长度越大，减阻能力越强；将主通道分为多段，可以在不同的分段上加工不同形状的微结构，保证从主通道的入口至出口不同分段底面处的表面流体的流速顺次增大，形成速度梯度，形成速度梯度可以获得更好的减阻效果。

主权项：1.一种高减阻效率的微通道制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：以单晶硅片为基底，通过电化学刻蚀技术和光刻技术加工主通道，所述主通道用于流通流体；所述主通道的底面上沿主通道延伸方向划分有至少两个微结构分段，对不同微结构分段分别加工不同微结构；对所述主通道顶部覆加盖板并密封。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 烟台大学 一种高减阻效率的微通道制备方法以及微通道

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