申请/专利权人：奥趋光电技术(杭州)有限公司

申请日：2023-11-28

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117867646A

主分类号：C30B23/00

分类号：C30B23/00;C30B29/40;C30B25/18;C30B33/00;C23C16/34

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种大尺寸体块氮化铝单晶生长方法，采用异质衬底通过多层氮化铝生长获得氮化铝籽晶，再物理气相传输法制得大尺寸体块氮化铝单晶。具体的，采用硅单晶等异质衬底，生长第一氮化铝层；采用氢化物气相外延法接着生长第二氮化铝层；去除异质衬底并双面抛光；接着在第二氮化铝层表面采用金属有机化学气相沉积法生长第三氮化铝层，获得氮化铝籽晶；将该籽晶背面固定至支撑托上，采用物理气相传输法生长大尺寸体块氮化铝单晶。本发明有效解决了传统异质外延生长方法的缺陷多、晶格失配大等缺点，将可能在氮化铝籽晶层形成的大部分位错湮灭，以大尺寸氮化铝籽晶同质生长获得最后的高质量大尺寸体块氮化铝单晶。

主权项：1.一种大尺寸体块氮化铝单晶生长方法，其特征在于，包括以下步骤：1提供异质单晶衬底；2在所述异质单晶衬底上生长第一氮化铝层，并高温热处理；3采用氢化物气相外延法在所述第一氮化铝层上生长第二氮化铝层；4去除所述异质单晶衬底，形成第一氮化铝片，所述第二氮化铝层为第一氮化铝片的正面，其反面为背面，并对所述第一氮化铝片的双面进行抛光，形成平坦表面；5采用金属有机化学气相沉积法在所述第一氮化铝片正面生长第三氮化铝层，形成第二氮化铝片；6将所述第二氮化铝片以背面固定至支撑托上，并装载至高温炉内；7采用物理气相传输法在所述第二氮化铝片正面生长出所述大尺寸体块氮化铝单晶。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 奥趋光电技术(杭州)有限公司 一种大尺寸体块氮化铝单晶生长方法

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