申请/专利权人:芜湖迪钛飞光电科技有限公司
申请日:2023-12-27
公开(公告)日:2024-04-12
公开(公告)号:CN117880652A
主分类号:H04N25/778
分类号:H04N25/778;H04N25/78;H04N25/616;H01L27/146
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开
摘要:本发明公开了一种具备雪崩二级放大的4T1D像素电路,属于光电技术领域。所述电路包括实现一级放大的雪崩光电二极管、实现二级放大的放大读取电路,其中,所述雪崩光电二极管将光信号转换为电信号后对所述电信号进行一级放大,一级放大后的电信号再由所述放大读取电路进行二级放大后输出。本发明通过自设计的多层非晶硅结构的雪崩光电二极管实现了信号的一级放大,并引入了放大读取电路克服了多层非晶硅漏电流的问题,同时实现了信号的二级放大。
主权项:1.一种具备雪崩二级放大的4T1D像素电路,其特征在于:所述电路包括实现一级放大的雪崩光电二极管、实现二级放大的放大读取电路,其中,所述雪崩光电二极管将光信号转换为电信号后对所述电信号进行一级放大,一级放大后的电信号再由所述放大读取电路进行二级放大后输出。
全文数据:
权利要求:
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