申请/专利权人：西安交通大学

申请日：2024-01-17

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877918A

主分类号：H01H33/664

分类号：H01H33/664;H01H33/662;H01H11/00;G06F17/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：一种瓷壳沿面构建介电常数梯度涂层提升真空灭弧室绝缘水平的方法，本发明采在真空灭弧室瓷壳沿面构建梯度涂层的方式，实现瓷壳沿面电场最大值的削弱，并均匀化沿面电场，以提升真空灭弧室瓷壳的沿面绝缘水平。其具体方法是：在真空灭弧室瓷壳的内壁和或外壁上构建介电常数梯度分布的涂层，通过对梯度涂层介电常数分布的迭代优化，实现对瓷壳沿面最大电场值的削弱和均匀化沿面电场，从而提升瓷壳沿面绝缘水平。本发明通过一定的迭代设计方法，确定梯度涂层介电常数的最优分布，可以实现瓷壳沿面最大切向电场的削弱，并均匀化沿面电场，提升瓷壳的沿面绝缘水平。本发明对提高真空灭弧室绝缘能力与真空灭弧室的小型化有重要理论价值和工程意义。

主权项：1.一种瓷壳沿面构建介电常数梯度涂层提升真空灭弧室绝缘水平的方法，其特征在于：在真空灭弧室瓷壳的内壁和或外壁上构建N段具有预设厚度的介电常数梯度分布的涂层，通过迭代优化的方式，得到每段涂层介电常数的优化分布，实现涂层沿面最大切向场强的削弱以及沿面切向场强的均匀化，从而提高真空灭弧室的绝缘能力。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安交通大学 瓷壳沿面构建介电常数梯度涂层提升真空灭弧室绝缘水平的方法

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