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【发明公布】一种基于亥姆霍兹共振腔阵列的吸声与压电俘能装置_山东理工大学_202410087647.6 

申请/专利权人:山东理工大学

申请日:2024-01-22

公开(公告)日:2024-04-12

公开(公告)号:CN117877453A

主分类号:G10K11/172

分类号:G10K11/172;H02N2/18;G10K11/178;G10K9/122

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要:本发明公开了一种基于亥姆霍兹共振腔阵列的吸声与压电俘能装置,该装置将两个亥姆霍兹共振腔镜像放置,通过压电薄膜将两个亥姆霍兹共振腔的底部连接,构成一个结构单元。通过管形波导并联若干个所述结构单元的短管。声波从管形波导一端进入时,一部分声波沿管形波导直接进入一侧的亥姆霍兹共振腔的短管中,另一部分沿迷宫形波导输入到另一侧的亥姆霍兹共振腔的短管中,路径的差距使输入到两侧短管的声波相位相差180°,实现一侧亥姆霍兹共振腔内声压为正时,另一侧的共振腔内声压为负,两亥姆霍兹共振腔内部声压始终相反,以此增大压电薄膜的形变量,提高输出电压。所有压电片串联作为电压源,通过整流电路为小功率用电设备供电。1.本发明通过亥姆霍兹共振腔型声学超材料有效解决中低频吸声问题,显著降低噪声;2.通过共振腔结构单元中的压电薄膜在声压作用下的变形,实现声能到电能的转换,完成能量回收和自供电;3.通过迷宫形波导实现输入到两侧共振腔的声波相位相差180°,增大压电薄膜变形量,进一步增大输出电压。

主权项:1.一种基于亥姆霍兹共振腔阵列的吸声与压电俘能装置,其特征在于,通过压电薄膜(6)将镜像放置的两个亥姆霍兹共振腔的底部连接,构成一个结构单元(1)。利用管形波导(2)连接所述结构单元(1)的短管,通过迷宫形波导(3)连接两个管形波导(2)。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 山东理工大学 一种基于亥姆霍兹共振腔阵列的吸声与压电俘能装置

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