申请/专利权人：清华大学

申请日：2024-01-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117871489A

主分类号：G01N21/64

分类号：G01N21/64;C09K11/06;G01N21/01

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请涉及一种硅基负极的固态荧光成像表征方法。硅基负极的固态荧光成像表征方法包括以下步骤：使荧光探针分子与硅基负极中的锂硅合金反应，形成含有锂基荧光化合物的硅基负极；对所述含有锂基荧光化合物的硅基负极进行固态荧光成像表征；其中，所述荧光探针分子具有如通式Ⅰ所示的结构，Ar上的羟基位于亚胺基的邻位；Ar每次出现，各自独立地包括取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的杂芳基。该表征方法可分析出硅基负极的荷电状态、锂硅合金分布、硅涂层裂纹缺陷、锂沉积颗粒等关键信息，从而为诊断硅基负极的界面状态、电池循环稳定性和安全性提供参考，有利于开发下一代高能量密度的锂硅电池。

主权项：1.一种硅基负极的固态荧光成像表征方法，其特征在于，包括以下步骤：使荧光探针分子与硅基负极中的锂硅合金反应，形成含有锂基荧光化合物的硅基负极；对所述含有锂基荧光化合物的硅基负极进行固态荧光成像表征；其中，所述荧光探针分子具有如通式Ⅰ所示的结构： Ar上的羟基位于亚胺基的邻位；Ar每次出现，各自独立地包括取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的杂芳基。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学 硅基负极的固态荧光成像表征方法

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