申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2022-08-11

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117882135A

主分类号：G11C11/4074

分类号：G11C11/4074;G11C11/4096;G11C11/22

优先权：["20210831 US 17/462,213"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.12#公开

摘要：描述用于层面层级信号发展共源共栅的方法、系统及装置。存储器装置可包含支持信号发展及解码功能性的晶体管。在第一操作条件例如，开路条件下，晶体管可操作以基于施加到所述晶体管的栅极的第一电压而隔离存取线的第一及第二部分。在第二操作条件例如，信号发展条件下，所述晶体管可操作以耦合所述存取线的所述第一及第二部分且基于施加到所述晶体管的所述栅极的第二电压而产生存取信号。在第三操作条件例如，闭路条件下，所述晶体管可操作以基于将大于所述第二电压的第三电压施加到所述晶体管的所述栅极而耦合所述存取线的所述第一及第二部分。

主权项：1.一种设备，其包括：存储器单元，其可操作以与存取线的第一部分耦合；感测组件，其可操作以与所述存取线的第二部分耦合；晶体管，其具有在所述存取线的所述第一部分与所述存取线的所述第二部分之间的通道部分；及电路系统，其可操作以：用第一电压加偏压于所述晶体管的栅极部分以用于将所述存取线的所述第一部分与所述存取线的所述第二部分隔离；用第二电压加偏压于所述晶体管的所述栅极部分以用于在对所述存储器单元的读取操作期间将所述存取线的所述第一部分与所述存取线的所述第二部分耦合；且用大于所述第二电压的第三电压加偏压于所述晶体管的所述栅极部分以用于在对所述存储器单元的写入操作期间将所述存取线的所述第一部分与所述存取线的所述第二部分耦合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 层面层级信号发展共源共栅

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