申请/专利权人：商丘师范学院

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117861704A

主分类号：B01J27/24

分类号：B01J27/24;B01J27/057;B01J35/39;C01B3/04;C01B32/40

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种缺陷态半导体ZnCuInSxSe1‑x复合催化剂的制备及在光催化中的应用，以缺陷态半导体为载体，利用半导体表面的缺陷直接锚定ZnCuInSxSe1‑x量子点制备复合催化剂，其中0x1。将缺陷态半导体和ZnCuInSxSe1‑x量子点分别超声均匀分散于水中，然后将两者混合搅拌至均匀，离心洗涤所得的沉淀，干燥后得到复合催化剂。本发明的制备方法简单可行，操作方便，并且ZCISSe可以均匀地负载在缺陷态半导体表面上，且与半导体之间具有较紧密的接触。制得的缺陷态半导体ZCISSe复合催化剂可用于光催化还原二氧化碳、光解水、光降解等领域，优先选择光催化还原二氧化碳反应。

主权项：1.一种缺陷态半导体ZnCuInSxSe1-x复合催化剂的制备方法，其特征在于：以缺陷态半导体为载体，利用半导体表面的缺陷直接锚定ZnCuInSxSe1-x量子点制备复合催化剂，其中0x1。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 商丘师范学院 缺陷态半导体/ZnCuInS_xSe_1-x复合催化剂的制备及在光催化中的应用

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