申请/专利权人：BENEQ有限公司

申请日：2022-08-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117881816A

主分类号：C23C16/455

分类号：C23C16/455;C23C16/458;H01L21/67

优先权：["20210813 FI 20215855"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及一种原子层沉积装置1，该原子层沉积装置被设置成在批处理中同时处理多个衬底，原子层沉积装置1具有真空室20以及设置在真空室20内部的反应室10。反应室10包括支撑部11和盖部12，该支撑部用于支撑设置在反应室10内部的衬底支架40，该盖部用于形成环绕设置在支撑部11处的衬底支架40的外壳。原子层沉积装置1还包括设置到反应室10的传导加热器30；传导加热器30被设置成为设置在反应室10内部的衬底支架40中的衬底提供热能。本发明还涉及一种具有反应室10内部衬底支架40的布置形式。

主权项：1.一种原子层沉积装置1，所述原子层沉积装置被设置成在批处理中同时处理多个衬底，所述原子层沉积装置1具有真空室20以及设置在所述真空室20内部的反应室10，其特征在于，所述反应室10包括：-支撑部11，用于支撑设置在所述反应室10内部的衬底支架40；以及-盖部12，用于形成环绕设置在所述支撑部11处的所述衬底支架40的外壳，所述原子层沉积装置1还包括：设置到所述反应室10的传导加热器30；所述传导加热器30被设置成为设置在所述反应室10内部的衬底支架40中的衬底提供热能。

全文数据：

权利要求：

百度查询： BENEQ有限公司 原子层沉积装置及布置形式

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