申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-10-09

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878089A

主分类号：H01L23/522

分类号：H01L23/522;H01L23/64;H10N97/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：一种电容结构，所述电容结构包括：第一极板、中间绝缘层、第二极板；电极金属结构包括：多个电极金属段；第一插塞组包括：至少1个第一插塞；第二插塞组包括：至少1个第二插塞；沿所述第二方向H，至少1个所述第一插塞组位于相邻的2个所述第二插塞组之间，从而能够有效降低第一极板的连接电阻、缩短电流通道，能够有效提高所述电容结构的Q值；而且与不同插塞相连的电极金属段之间也能构成电容，能够有效提高所述电容结构的电容值。

主权项：1.一种电容结构，其特征在于，包括：第一极板，所述第一极板位于衬底上；中间绝缘层，所述中间绝缘层位于所述第一极板上；第二极板，所述第二极板位于所述中间绝缘层上；电极金属结构，所述电极金属结构位于所述第二极板上，所述电极金属结构包括：多个电极金属段，所述电极金属段沿第一方向延伸，多个所述电极金属段沿第二方向依次平行排列，其中所述第一方向和所述第二方向相互垂直；第一插塞组，包括：第一插塞，所述第一插塞贯穿所述第二极板和所述中间绝缘层，以连接所述第一极板和所述电极金属段；第二插塞组，包括：第二插塞，所述第二插塞连接所述第二极板和所述电极金属段；沿所述第二方向，至少1个所述第一插塞组位于相邻的所述第二插塞组之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 电容结构

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