申请/专利权人：武汉锐晶激光芯片技术有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878073A

主分类号：H01L23/373

分类号：H01L23/373;H01L23/31

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及一种热沉结构及其制备方法和芯片封装结构。所述热沉结构包括热沉基材、第一金属层和第二金属层，热沉基材的材料为金刚石，第一金属层贴设于热沉基材的一侧，第二金属层贴设于热沉基材远离第一金属层的另一侧，第一金属层和第二金属层的硬度分别小于热沉基材的硬度，且第一金属层远离热沉基材的一面的第一粗糙度以及第二金属层远离热沉基材的一面的第二粗糙度分别小于或等于粗糙度阈值。本申请提供的热沉结构，采用金刚石作为热沉基材，并于金刚石两侧分别贴设第一金属层和第二金属层，提高了热沉结构的导热性能，并降低了热沉结构表面的磨抛加工难度。

主权项：1.一种热沉结构，其特征在于，包括：热沉基材，所述热沉基材的材料为金刚石；第一金属层，贴设于所述热沉基材的一侧；第二金属层，贴设于所述热沉基材远离所述第一金属层的另一侧；其中，所述第一金属层和所述第二金属层的硬度分别小于所述热沉基材的硬度，且所述第一金属层远离所述热沉基材的一面的第一粗糙度以及所述第二金属层远离所述热沉基材的一面的第二粗糙度分别小于或等于粗糙度阈值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉锐晶激光芯片技术有限公司 热沉结构及其制备方法、芯片封装结构

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