申请/专利权人：长飞光纤光缆股份有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117872526A

主分类号：G02B6/036

分类号：G02B6/036

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种抗光致损耗短波长低衰减单模光纤及其制备方法，属于特种光纤相关技术领域，其通过优选设计光纤的结构，形成包含高斯分布芯和阶跃分布芯的芯层，再配合各层中SiO2FCl元素占比的优选设计以及各层相对折射率差的组合设置，可以准确得到抗光致损耗短波长低衰减单模光纤。本发明的抗光致损耗短波长低衰减单模光纤，其制备过程的控制简便，能够满足单模光纤在可见光蓝绿光波段下的应用，降低光纤中的Si‑O键缺陷和非桥键氧缺陷，满足抗光致损耗、短波长、低衰减的单模光纤应用需求，延长光纤的使用寿命，提升单模光纤的使用性能。

主权项：1.一种抗光致损耗短波长低衰减单模光纤，包括由内至外依次设置的芯层、内包层和外包层，且所述内包层包括内外依次设置的第一包层和第二包层；其特征在于，所述芯层为掺氟芯层，F元素占比为4.68~6.31mol%，SiO2占比为93.72~95.29mol%，Cl元素占比为0~0.008mol%；且所述芯层包括位于中心的高斯分布芯和位于该高斯分布芯外周的阶跃分布芯；所述高斯分布芯中的折射率呈渐变分布，其中部的相对折射率差最大；所述高斯分布芯中心的相对折射率差Δ1max为-0.60%~-0.45%，其边界处的相对折射率差Δ1min与阶跃分布芯的相对折射率差Δ2相同，为-0.70%~-0.55%；所述第一包层为掺氟包层，其相对折射率差Δ3为-0.79%~-1.04%，且第一包层中F元素的占比为7.89~9.38mol%，SiO2的占比为90.58~92.07mol%，Cl元素的占比为0.017~0.031mol%；所述第二包层为掺氟包层，其相对折射率差Δ4为-0.45%~-0.75%，且第二包层中F元素的占比为4.68~7.46mol%，SiO2的占比为92.44~94.93mol%，Cl元素的占比为0.079~0.086mol%。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长飞光纤光缆股份有限公司 一种抗光致损耗短波长低衰减单模光纤及其制备方法

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