买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明公布】一种钒酸铋基无偏压光电化学池、制备方法及其在光电催化的应用_大连理工大学_202410139684.7 

申请/专利权人:大连理工大学

申请日:2024-02-01

公开(公告)日:2024-04-12

公开(公告)号:CN117867525A

主分类号:C25B1/55

分类号:C25B1/55;C25B11/049

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要:本发明提供一种钒酸铋基无偏压光电化学池、制备方法及其在光电催化的应用,所述光电化学池由四方锆石相钒酸铋基复合光阴极和单斜相钒酸铋基光阳极组成。通过水热法和旋涂法得到了四方锆石相钒酸铋负载氧化物及助催化剂的复合光阴极。通过电化学沉积和高温热退火合成了金属掺杂单斜相钒酸铋光阳极。将复合光阴极与光阳极串联构筑了钒酸铋基无偏压光电化学池。该光电化学池表现出优异的光电催化氧气还原制备过氧化氢的性能,且表现出优异的稳定性。本发明制备的钒酸铋基无偏压光电化学池具有良好的载流子分离和转移效率以及较高的过氧化氢合成效率,制备方法简单,合成条件易于控制,有利于材料的大规模制备,具有广阔的应用前景。

主权项:1.一种钒酸铋基无偏压光电化学池,其特征在于,所述的钒酸铋基无偏压光电化学池由p型四方锆石相钒酸铋p-BVO基复合光阴极和n型单斜相钒酸铋n-BVO基光阳极组成;其中,四方锆石相钒酸铋基复合光阴极由在导电基底上生长四方锆石相钒酸铋负载氧化物及助催化剂构成,单斜相钒酸铋基光阳极由在导电基底上生长金属掺杂单斜相钒酸铋构成。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 大连理工大学 一种钒酸铋基无偏压光电化学池、制备方法及其在光电催化的应用

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。