申请/专利权人：北京大学

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117835080A

主分类号：H04N25/21

分类号：H04N25/21;H04N25/47;H04N25/63

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明提供了一种像素近零偏压控制的红外焦平面读出电路和电子设备，涉及红外成像领域。探测器对每个像素进行探测产生注入电流，并产生公共电平和偏置电压，公共电平与偏置电平之间具有电压差。注入结构将注入电流注入后级电路，以使得红外焦平面读出电路进行后续工作；近零偏压控制模块用于控制偏置电平的电压值，使得偏置电平的电压值尽可能的接近公共电平的电压值，进而使得电压差近零。本发明使得探测器两端的电压差近零，暗电流急剧降低，抑制暗电流，从而显著的降低暗电流噪声。使得制冷型红外探测器可以较好的工作在180K‑300K常温环境，极大的降低了制冷设备的要求，从而降低制冷型红外探测器的成本。

主权项：1.一种像素近零偏压控制的红外焦平面读出电路，其特征在于，所述红外焦平面读出电路包括：注入结构、近零偏压控制模块；探测器对每个像素进行探测产生注入电流，并在自身与公共电平端连接的一端产生公共电平，在自身与所述注入结构连接的一端产生偏置电压，所述公共电平与所述偏置电平之间具有电压差；所述注入结构将所述注入电流注入后级电路，以使得所述红外焦平面读出电路进行后续工作；所述近零偏压控制模块用于控制所述偏置电平的电压值，使得所述偏置电平的电压值尽可能的接近所述公共电平的电压值，进而使得所述电压差近零。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学 一种像素近零偏压控制的红外焦平面读出电路和电子设备

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD