申请/专利权人：上海磁宇信息科技有限公司

申请日：2019-04-24

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN111863865B

主分类号：H10B61/00

分类号：H10B61/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2020.11.17#实质审查的生效;2020.10.30#公开

摘要：本发明赝磁性隧道结单元，在已制造好的适于磁性随机存储器的互补金属氧化物半导体上沉积一层底电极，采用化学机械研磨的方法使底电极平坦化；用旋涂的方法在底电极上依次沉积粘合层和光刻胶层；对外围电路单元区域曝光；对外围电路单元区域显影，除去此区域的粘合层和光刻胶层；对外围电路单元区域的底电极进行表面粗糙化；除去磁性隧道结区域的粘合层和光刻胶层；在外围电路单元区域的底电极之上依次沉积赝磁性隧道结参考层、势垒层和记忆层，在磁性隧道结区域的底电极之上依次沉积磁性隧道结参考层、势垒层和结记忆层，在磁性隧道结记忆层和赝磁性隧道结记忆层之上沉积硬掩模层；采用光刻工艺及刻蚀工艺完成磁性隧道结及赝磁性隧道结的图案化。

主权项：1.一种赝磁性隧道结单元，其特征在于，具有电导通性，其包括以下步骤：步骤一：在已经制造好的适用于磁性随机存储器的表面抛光的带金属连线通孔的CMOS基底上用物理溅射沉积一层底电极，并采用化学机械研磨的方法使底电极平坦化；步骤二：用旋涂的方法在底电极上依次沉积粘合层和光刻胶层；步骤三：对磁性随机存储器的外围电路区域曝光；步骤四：对磁性随机存储器的外围电路区域显影，除去此区域的粘合层和光刻胶层；步骤五：对磁性随机存储器的外围电路区域的底电极进行表面粗糙化；步骤六：除去磁性随机存储器的磁性隧道结区域的粘合层和光刻胶层；步骤七：采用物理气相沉积工艺沉积磁性隧道结材料，即在磁性随机存储器的外围电路单元区域的底电极之上采用物理气相沉积工艺依次沉积赝磁性隧道结参考层、赝磁性隧道结势垒层、赝磁性隧道结记忆层，在磁性随机存储器的磁性隧道结区域的底电极之上采用物理气相沉积工艺依次沉积磁性隧道结参考层、磁性隧道结势垒层、磁性隧道结记忆层以及硬掩模层；步骤八：采用光刻工艺及刻蚀工艺完成磁性隧道结及赝磁性隧道结的图案化。

全文数据：

权利要求：

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