申请/专利权人：联合微电子中心有限责任公司

申请日：2020-11-30

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN114577882B

主分类号：G01N27/414

分类号：G01N27/414

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2022.06.21#实质审查的生效;2022.06.03#公开

摘要：本发明提供一种气体传感器及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有绝缘层，以及绝缘层表面的源极、栅极和漏极；在栅极表面电镀金属掩膜；在电极表面修饰阻挡层；去除金属掩膜并同时去除金属掩膜表面的阻挡层；在阻挡层未覆盖的区域生长介电层，所述介电层包覆所述栅极；去除阻挡层以暴露出源极和漏极；在源极、漏极以及介电层表面形成导电气敏层。上述结构的导电气敏层完全暴露在外，可以最大程度的与空气接触，提高了导电气敏层的作用面积，有效提升了气体传感器的性能。并且通过上述技术方案所述的方法，解决了上述结构中的技术难题，即如何实现介电层覆盖绝缘层的同时，所述介电层在金属电极上的区域选择性生长的问题。

主权项：1.一种气体传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有绝缘层，以及绝缘层表面的源极、栅极和漏极；在栅极表面电镀金属掩膜；在电极表面修饰阻挡层，所述阻挡层采用十二烷基硫醇或十八烷基磷酸；去除金属掩膜并同时去除金属掩膜表面的阻挡层，其中，采用能够通过离子置换除去作为金属掩膜的金属的溶液进行腐蚀去除金属掩膜，或，所述去除金属掩膜的步骤采用湿法刻蚀方法；在阻挡层未覆盖的区域生长介电层，所述介电层包覆所述栅极，所述介电层采用HfO2材料；去除阻挡层以暴露出源极和漏极；在源极、漏极以及介电层表面形成导电气敏层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联合微电子中心有限责任公司 气体传感器的制备方法以及气体传感器

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