申请/专利权人：郑州大学

申请日：2021-11-26

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN114088779B

主分类号：G01N27/12

分类号：G01N27/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2022.03.15#实质审查的生效;2022.02.25#公开

摘要：本发明属于半导体氧化物气体传感器技术领域，公开一种抗有机硅中毒的双涂层H2传感器及其制备方法。所述传感器为旁热式传感器，由Al2O3陶瓷管、两个环状金电极、四条铂丝引线、敏感内层、抗毒外层、铬镍加热丝、六脚管座组成；其中，敏感内层材料为纳米In2O3，抗毒外层材料为负载In2O3的氧化铝纤维。制备方法：（1）、制备敏感内层材料‑‑纳米In2O3；（2）、制备抗毒外层材料‑‑负载In2O3的氧化铝纤维；（3）、按旁热式传感器的制备工艺先涂覆敏感内层材料，再涂覆抗毒外层材料，制备双涂层H2传感器。本发明制备的传感器表现出良好的抗中毒性能，符合可燃气体探测器国家标准GB15322.2‑2019对抗中毒性能的要求。

主权项：1.一种抗有机硅中毒的双涂层H2传感器，其特征在于：所述传感器为旁热式传感器，由Al2O3陶瓷管（1）、两个环状金电极（2）、四条铂丝引线（3）、敏感内层（4）、抗毒外层（5）、铬镍加热丝（6）、六脚管座（7）组成；两个环状金电极（2）平行间隔设置在Al2O3陶瓷管（1）上，每个金电极（2）连接两条铂丝引线（3），敏感内层（4）涂覆于Al2O3陶瓷管（1）和金电极（2）的外表面，抗毒外层（5）涂覆于敏感内层（4）外表面，铬镍加热丝（6）穿过Al2O3陶瓷管（1）内部，铬镍加热丝（6）的两端和Al2O3陶瓷管（1）的四条铂丝引线（3）共同焊接在六脚管座（7）上；其中，敏感内层（4）材料为采用溶胶凝胶法制备的纳米In2O3，抗毒外层（5）材料为负载In2O3的氧化铝纤维；抗毒外层（5）材料中，In2O3的负载率为30-70wt%；敏感内层（4）的厚度为0.05-0.2mm，抗毒外层（5）的厚度为0.05-0.3mm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 郑州大学 一种抗有机硅中毒的双涂层H₂传感器及其制备方法

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