申请/专利权人：北京忆恒创源科技股份有限公司

申请日：2018-06-07

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN110580227B

主分类号：G06F12/02

分类号：G06F12/02;G06F12/0882;G06F3/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.10.08#著录事项变更;2021.03.30#实质审查的生效;2019.12.17#公开

摘要：本申请涉及存储设备技术领域，尤其涉及自适应NVM命令生成方法与装置，其中自适应NVM命令生成方法包括：获取读NVM芯片提供的LUN的读消息；识别读消息所形成的访问模式；根据访问模式生成NVM接口命令。本申请通过根据数据访问的特点，而自适应地选择不同的读命令，提升了存储设备的性能。

主权项：1.一种自适应NVM命令生成方法，包括：获取读NVM芯片提供的LUN的读消息；识别读消息所形成的访问模式；根据访问模式生成NVM接口命令；若识别的访问模式为连续物理地址访问模式，则生成的NVM接口命令为普通读命令，其中普通读命令指示从LUN中读出完整物理页的数据。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京忆恒创源科技股份有限公司 自适应NVM命令生成方法与装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD