申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2018-12-21

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN110021546B

主分类号：H01L21/683

分类号：H01L21/683;H01L21/02;H01L21/67;H01L21/687

优先权：["20180105 JP 2018-000416"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2020.10.30#实质审查的生效;2019.07.16#公开

摘要：本发明提供一种基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质。在光刻步骤中，在适当的位置进行曝光处理。一种在步骤S10中在晶片的正面涂敷抗蚀剂液，在步骤S17中使晶片的正面上的被曝光了的抗蚀剂膜显影的晶片处理方法，其包括在步骤S14的曝光处理前在该晶片的背面形成降低摩擦膜的降低摩擦膜成步骤步骤S5，其中，该降低摩擦膜用于降低晶片的背面与在曝光处理时保持晶片的背面的保持面的摩擦。

主权项：1.一种基片处理装置，其用于对基片依次进行曝光处理、曝光后烘焙处理、膜剥离和基片的背面清洗的基片处理系统，在所述基片的正面涂敷涂敷液，对所述基片的正面上的被曝光的涂敷膜进行显影，所述基片处理装置的特征在于，包括：在曝光处理前在该基片的背面形成降低摩擦膜的膜形成部，其中，所述降低摩擦膜用于降低所述基片的背面与在曝光处理时保持所述基片的背面的保持面的摩擦；和膜剥离部，其在对所述基片进行曝光处理和曝光后烘焙处理之后，且在通过进行所述基片的背面清洗将因剥离而产生的颗粒除去之前，从进行了曝光处理的所述基片剥离所述降低摩擦膜。

全文数据：基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质技术领域本发明涉及在基片的正面涂敷涂敷液，使基片的正面上的被曝光了的涂敷膜显影的基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质。背景技术例如在多层配线构造的半导体器件的制造步骤中，多次进行例如在半导体晶片下面，称为“晶片”。上形成抗蚀剂图案的光刻步骤。在光刻步骤中，进行在晶片上涂敷抗蚀剂液来形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、在抗蚀剂膜上曝光规定的图案的曝光处理、使曝光后的抗蚀剂膜显影的显影处理等，在晶片上形成规定的抗蚀剂图案。在各光刻步骤间，以对晶片的相同区域进行投射shot的方式进行曝光处理。而且，由于伴随着近年的半导体器件的进一步高集成化的抗蚀剂图案的微小化，要求提高在前一光刻步骤中进行投射的区域与后一光刻步骤中进行投射的区域的位置匹配的精度，即套刻重合的精度。因此，在例如专利文献1中，提出了一种方法：使用散射计Scatterometer来检测套刻的误差，并据此来控制用于进行曝光的扫描器的动作。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011－171732号公报发明内容发明想要解决的技术问题然而，在曝光处理中，被运送到曝光装置的晶片暂且被交接到例如3个升降销后，被载置到载置台。于是，晶片由载置台吸附保持，在载置台上的晶片的位置固定的状态下进行投射。然而，被交接到升降销的晶片由于其自重而外周部比中心部向下方弯曲，因此以从外周部向中心部去的顺序载置在载置台。如此，由于晶片的外周部先由载置台吸附保持，因此在其中心部在施加有压力应力的状态下被吸附保持。另外，存在最初运送到曝光装置的晶片不平坦而产生翘曲的情况，上述情况下依然晶片在施加了压力的状态下被吸附保持。如此，在对晶片施加了压力的状态下将其吸附保持在载置台时，存在晶片变形，在从希望的区域偏离的区域进行投射的情况。这一点，在上述的专利文献1中，未着眼于如上述那样的在载置台载置晶片时的问题，依然存在不能在适当的位置进行投射的情况。因此，在提高曝光处理的套刻的精度的方面，存在改善的余地。本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于在光刻步骤中在适当的位置进行曝光处理。用于解决技术问题的技术方案用于解决上述技术问题的本发明为一种基片处理装置，其在基片的正面涂敷涂敷液，对基片的正面上的被曝光了的涂敷膜进行显影，上述基片处理装置的特征在于：具有用于在曝光处理前在该基片的背面形成降低摩擦膜的膜形成部，其中，上述降低摩擦膜用于降低上述基片的背面与在曝光处理时保持上述基片的背面的保持面的摩擦。根据本发明，通过在曝光处理前在基片的背面形成降低摩擦膜，在曝光处理中在载置台载置基片时，形成于基片的背面的降低摩擦膜与载置台接触。这样一来，例如在因升降销而基片的外周部比中心部向下方弯曲的情况下或者被运送到曝光装置的基片不平坦的情况下，利用降低摩擦膜使基片以在载置台上能够滑动的方式载置在载置台上，能够降低一直以来那样施加于基片的压力。因此，能够将基片吸附保持在载置台上的适当的位置，因此能够抑制基片要被曝光的位置偏离于正常的位置。其结果，能够改善曝光处理的套刻。上述膜形成部也可以在对上述基片的正面涂敷涂敷液的涂敷处理完成后且在曝光处理前，在上述基片的背面形成上述降低摩擦膜。上述降低摩擦膜也可以为氟树脂膜。上述膜形成部也可以使降低摩擦膜用材料蒸镀在上述基片的背面。上述膜形成部也可以在上述基片的背面涂敷降低摩擦膜用材料。上述膜形成部也可以具有支承上述基片的背面的一部分的支承部。上述支承部也可以设置有多个，该多个支承部分别支承上述基片的背面的不同部分，上述膜形成部还包括用于使上述多个支承部单独移动的移动机构。上述基片处理装置也可以还包括膜剥离部，其对在背面形成了上述降低摩擦膜后进行了曝光处理的上述基片，剥离上述降低摩擦膜。上述膜剥离部也可以在对上述基片进行了曝光后烘焙处理后且在对上述基片进行显影处理前，剥离上述降低摩擦膜。上述膜剥离部也可以对上述基片的背面照射紫外线，来剥离上述降低摩擦膜。上述基片处理装置也可以还包括前处理部，其在上述膜形成部在上述基片的背面形成上述降低摩擦膜前，对上述基片的背面照射紫外线。本发明的另一方面为一种基片处理方法，其在基片的正面涂敷涂敷液，对基片的正面上的被曝光了的涂敷膜进行显影，上述基片处理方法的特征在于：包括用于在曝光处理前在该基片的背面形成降低摩擦膜的膜形成步骤，其中，上述降低摩擦膜用于降低上述基片的背面与在曝光处理时保持上述基片的背面的保持面的摩擦。上述膜形成步骤也可以在对上述基片的正面的涂敷液的涂敷处理完成后且在曝光处理前进行。上述降低摩擦膜也可以为氟树脂膜。在上述膜形成步骤中，也可以使降低摩擦膜用材料蒸镀在上述基片的背面。在上述膜形成步骤中，也可以在上述基片的背面涂敷降低摩擦膜用材料。在上述膜形成步骤中，也可以支承上述基片的背面的一部分并在该基片的背面形成上述降低摩擦膜。在上述膜形成步骤中，也可以改变支承上述基片的背面的部分，在该基片的背面形成上述降低摩擦膜。上述基片处理方法也可以还包括膜剥离步骤，其对在上述膜形成步骤中在背面形成了上述降低摩擦膜后进行了曝光处理的上述基片，剥离上述降低摩擦膜。上述膜形成步骤也可以在对上述基片进行了曝光后烘焙处理后且在对上述基片进行显影处理前进行。在上述膜剥离步骤中，也可以对上述基片的背面照射紫外线，以剥离上述降低摩擦膜。上述基片处理方法也可以还包括在上述膜形成步骤前，对上述基片的背面照射紫外线的前处理步骤。另外，根据本发明的另一方面，提供一种计算机可读存储介质，其存储有在作为控制部的计算机上运行的程序，上述控制部控制基片处理装置，以使得由该基片处理装置执行上述基片处理方法。发明效果根据本发明，能够在光刻步骤中在适当的位置进行曝光处理。附图说明图1是示意性地表示第一实施方式的基片处理系统的构成的概略的俯视图。图2是示意性地表示第一实施方式的第一处理系统的构成的概略的俯视图。图3是示意性地表示第一实施方式的第一处理系统的内部构成的概略的正视图。图4是示意性地表示第一实施方式的第一处理系统的内部构成的概略的后视图。图5是示意性地表示第一实施方式的第二处理系统的构成的概略的俯视图。图6是示意性地表示第一实施方式的第二处理系统的内部构成的概略的正视图。图7是示意性地表示第一实施方式的第二处理系统的内部构成的概略的后视图。图8是示意性地表示降低摩擦膜形成装置的构成的概略的纵截面图。图9是表示在降低摩擦膜形成装置中在晶片的背面形成降低摩擦膜的情况的说明图。图10是示意性地表示紫外线处理装置的构成的概略的侧视图。图11是表示在紫外线处理装置中对晶片的背面照射紫外线的情况的说明图。图12是表示在紫外线处理装置中对晶片的背面照射紫外线的情况的说明图。图13是表示第一实施方式的晶片处理的主要步骤的流程图。图14是示意性地表示第二实施方式的基片处理系统的内部构成的概略的正视图。图15是示意性地表示第二实施方式的基片处理系统的内部构成的概略的后视图。图16是表示第二实施方式的晶片处理的主要步骤的流程图。附图标记说明1基片处理系统10第一处理系统20第二处理系统30控制部120、121背面清洗装置122下层膜形成装置123催化剂处理装置130～132热处理装置133降低摩擦膜形成装置134、135紫外线处理装置220显影处理装置221中间层膜形成装置222抗蚀剂涂敷装置223正面清洗装置224背面清洗装置231疏水化处理装置232周边曝光装置300腔室310加热器320、321支承部322升降机构330气体供给部340排气路400旋转吸盘401垫402、403移动机构410、411UV灯500基片处理系统W晶片。具体实施方式下面，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。此外，在本说明书和附图中，对于实质上具有相同功能构成的要素标注相同的附图标记，从而省略重复说明。＜第一实施方式＞首先，对本发明的第一实施方式的基片处理系统本发明中的基片处理装置的构成进行说明。图1是示意性地表示本实施方式的基片处理系统1的构成的概略的俯视图。基片处理系统基片处理系统1包括对作为基片的晶片W进行规定处理的2个处理系统10、20。另外，在基片处理系统1中设置有控制部30。控制部30为例如计算机，具有程序存储部未图示。在程序存储部存储有用于控制基片处理系统1中的晶片W的处理的程序。上述程序是存储于例如计算机可读取的硬盘HD、软盘FD、光盘CD、磁光盘MO、存储器等计算机可读取的存储介质的程序，也可以从该存储介质安装到控制部30的程序。本实施方式中的基片处理系统1的构成是用于执行本发明的晶片处理方法的一例，并不限于此。第一处理系统对第一处理系统10的构成进行说明。图2是示意性地表示第一处理系统10的构成的概略的俯视图。图3和图4分别是示意性地表示第一处理系统10的内部构成的概略的正视图和后视图。如图2所示，第一处理系统10具有将用于送入送出收纳有多片晶片W的盒C的盒站100与具有对晶片W实施规定处理的多个处理装置的处理站101连接为一体的结构。在盒站100设置有盒载置台110。在盒载置台110设置有多个盒载置板111，其用于在对基片处理系统1的外部送入送出盒C时载置盒C。在盒站100，设置有能够在X方向延伸的运送路112上移动的晶片运送装置113。晶片运送装置113能够在上下方向并绕铅直轴θ方向移动，能够在各盒载置板111上的盒C与后述的处理站101的第三区块G3的交接装置140、141之间运送晶片W。在处理站101设置有多个例如3个具有各种装置的区块，即第一区块G1～第三区块G3。例如在处理站101的正面侧图2的X方向负方向侧设置有第一区块G1，在处理站101的背面侧图2的X方向正方向侧，附图的上侧设置有第二区块G2。另外，在处理站101的盒站100侧图2的Y方向负方向侧，设置有第三区块G3。如图3所示，在第一区块G1设置有：用于清洗晶片W的背面的背面清洗装置120、121；用于在晶片W的正面涂敷下层膜用材料而形成下层膜例如SOCSpinOnCarbon膜的下层膜形成装置122；和催化剂处理装置123，其向形成于晶片W的背面的后述的降低摩擦膜供给规定的催化剂来进行处理。背面清洗装置120、121从下方开始按该顺序配置，下层膜形成装置122和催化剂处理装置123从下方开始按该顺序配置，并且背面清洗装置120、121与下层膜形成装置122和催化剂处理装置123从盒站100侧按该顺序排列配置。此外，能够任意选择上述背面清洗装置120、121、下层膜形成装置122、催化剂处理装置123的数量或配置。另外，根据所使用的催化剂的种类，催化剂处理装置123中的催化剂处理也可以在后述的降低摩擦膜形成装置133中进行，该情况下，能够省略催化剂处理装置123。如图4所示，在第二区块G2设置有；用于对晶片W进行加热或冷却之类的热处理的热处理装置130～132；用于在晶片W的背面形成降低摩擦膜的降低摩擦膜形成装置133；用于向晶片W的背面照射紫外线的紫外线处理装置134、135。热处理装置130～132从下方开按该顺序配置，降低摩擦膜形成装置133和紫外线处理装置134、135从下方开始按该顺序配置，并且热处理装置130～132、降低摩擦膜形成装置133和紫外线处理装置134、135从盒站100侧开始按该顺序排列配置。此外，在本实施方式中，降低摩擦膜形成装置133构成本发明的膜形成部，紫外线处理装置134、135分别构成本发明的前处理部、膜剥离部。另外，上述热处理装置130～132、降低摩擦膜形成装置133、紫外线处理装置134、135的数量或配置能够任意选择。在第三区块G3，交接装置140、141从下方开始按该顺序配置。如图2所示，在第一区块G1～第三区块G3所包围的区域形成有晶片运送区域D1。在晶片运送区域D1例如配置有晶片运送装置150，该晶片运送装置150具有多个在Y方向、X方向、θ方向和上下方向可移动的运送臂150a。晶片运送装置150在晶片运送区域D1内移动，能够将晶片W运送到周围的第一区块G1、第二区块G2和第三区块G3内的规定的装置。第二处理系统对第二处理系统20的构成进行说明。图5是示意性地表示第二处理系统20的构成的概略的俯视图。图6和图7分别是示意性地表示第二处理系统20的内部构成的概略的正视图和后视图。如图5所示，第二处理系统20具有盒站200、处理站201与接口站203连接为一体的构成，其中，该盒站200用于送入送出收纳有多片晶片W的盒C，该处理站201具有多个对晶片W实施规定处理的处理装置，该接口站203在与处理站201相邻的曝光装置202之间交接晶片W。在盒站200设置有盒载置台210。在盒载置台210设置有盒载置板211，该盒载置板211用于在对基片处理系统1的外部送入送出盒C时载置盒C。在盒站200设置有能够在X方向延伸的运送路212上移动的晶片运送装置213。晶片运送装置213也能够在上下方向并绕铅直轴θ方向移动，能够在各盒载置板211上的盒C与后述的处理站201的第六区块G6的交接装置240～246之间运送晶片W。在处理站201设置有多个例如4个具有各种装置的的区块，即第四区块G4～第七区块G7。例如处理站201的正面侧图5的X方向负方向侧设置有第四区块G4，在处理站201的背面侧图5的X方向正方向侧，附图的上侧设置有第五区块G5。另外，在处理站201的盒站200侧图5的Y方向负方向侧设置有上述的第六区块G6，在处理站201的接口站203侧图5的Y方向正方向侧设置有第七区块G7。如图6所示，在第四区块G4从下方开始依次配置有：对晶片W进行显影处理的显影处理装置220；在晶片W的正面涂敷中间层膜用材料以形成中间层膜例如有机BARCBottomAntiReflectingCoating或Si含有ARC的中间层膜形成装置221；在晶片W的正面涂敷抗蚀剂液来形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷装置222；清洗晶片W的正面的正面清洗装置223；清洗晶片W的背面的背面清洗装置224。例如显影处理装置220、中间层膜形成装置221、抗蚀剂涂敷装置222、正面清洗装置223、背面清洗装置224各在水平方向排列配置3个。此外，上述显影处理装置220、中间层膜形成装置221、抗蚀剂涂敷装置222、正面清洗装置223、背面清洗装置224的数量或配置能够任意选择。如图7所示，在第五区块G5中，在上下方向和水平方向排列配置有对晶片W进行加热或冷却之类的热处理的热处理装置230、为了提高抗蚀剂液与晶片W的固定性而进行疏水化处理的疏水化处理装置231和用于曝光晶片W的外周部的周边曝光装置232。此外，热处理装置230、疏水化处理装置231、周边曝光装置232的数量或配置能够任意选择。在第六区块G6，从下方开始依次设置有多个交接装置240、241、242、243、244、245、246。另外，在第七区块G7，从下方开始依次设置有多个交接装置250、251、252。如图5所示，在第四区块G4～第七区块G7所包围的区域，形成有晶片运送区域D2。在晶片运送区域D2例如具有能够在Y方向、X方向、θ方向和上下方向移动的运送臂260a的晶片运送装置260。晶片运送装置260在晶片运送区域D2内移动，能够将晶片W运送到周围的第四区块G4、第五区块G5、第六区块G6和第七区块G7内的规定的装置。另外，如图7所示，在晶片运送区域D2设置有用于在第六区块G6与第七区块G7之间直线地运送晶片W的往复运送装置270。往复运送装置270例如能够在图7的Y方向直线地移动。往复运送装置270在支承着晶片W的状态下在Y方向移动，能够在第六区块G6的交接装置242与第七区块G7的交接装置252之间运送晶片W。如图5所示，在第六区块G6的X方向正方向侧的附近设置有晶片运送装置280。晶片运送装置280具有例如能够在X方向、θ方向和上下方向移动的运送臂280a。晶片运送装置280在支承着晶片W的状态下上下移动，能够将晶片W运送到第六区块G6内的各交接装置。在接口站203设置有晶片运送装置290和交接装置291。晶片运送装置290具有例如能够在Y方向、θ方向和上下方向移动的运送臂290a。晶片运送装置290例如在运送臂290a支承晶片W，能够在第七区块G7内的各交接装置、交接装置291与曝光装置202之间运送晶片W。降低摩擦膜形成装置接着，对降低摩擦膜形成装置133进行说明。在降低摩擦膜形成装置133中，使减摩擦用材料的气体下面，称为“原料气体”。蒸镀在晶片W的背面，在该背面形成降低摩擦膜。在曝光装置202中，如上述那样，在由于升降销而晶片W的外周部比中心部向下方弯曲的情况下或者晶片W本身不平坦的情况下，晶片W在施加了压力的状态下被吸附保持在载置台，在载置台上发生变形。因此，在本实施方式中，在曝光处理前在降低摩擦膜形成装置133中，在晶片W的背面具有比曝光装置202的载置台的保持面高的接触角，形成能够降低晶片W的背面与载置台的保持面的摩擦摩擦系数的降低摩擦膜。如此，在曝光装置202中，利用降低摩擦膜将晶片W以其能够在载置台上滑动的方式载置在载置台上，能够降低上述的压力。此外，降低摩擦膜的膜的种类只要是能够降低摩擦的种类即可，没有特殊限制，例如可以使用氟树脂膜。另外，在降低摩擦膜形成装置133中，通过在晶片W的背面形成降低摩擦膜，也有保护该背面这样的效果。在例如运送形成有降低摩擦膜的晶片W时，能够抑制划伤晶片W的背面。另外，还能够省略例如在涂敷处理中清洗晶片W的背面的所谓的背部清洗。对该降低摩擦膜形成装置133的构成进行说明。图8是示意性地表示降低摩擦膜形成装置133的构成的概略的纵截面图。降低摩擦膜形成装置133在内部具有收纳晶片W的腔室300。腔室300具有上部腔室301和下部腔室302。下部腔室302构成为通过升降机构303在铅直方向可升降。当使下部腔室302上升而与上部腔室301密接时，形成在腔室300的内部密闭的处理空间K。另一方面，当使下部腔室302下降时，腔室300的内部开放于大气。在上部腔室301设置有用于加热晶片W的加热器310。在下部腔室302设置有用于支承晶片W的2个支承部320、321。支承部320、321分别为例如3个升降销，支承晶片W的背面的不同部分。支承部320、321构成为通过作为移动机构的升降机构322能够各自独立地在铅直方向上升降。在下部腔室302形成有在厚度方向形成的贯通孔302a，支承部320、321插通贯通孔302a。在下部腔室302的内部底面的中央部设置有气体供给部330，其向由第一支承部320或者第二支承部321支承的晶片W的背面供给原料气体。气体供给部330构成为能够向晶片W的背面整个面喷射原料气体。气体供给部330与用于流通原料气体的气体供给管331连接。气体供给管331与使液体状的原料液气化为原料气体的气化器332连通。气化器332与用于流通原料液的液供给管333和用于流通氮气的气体供给管334连接。液供给管333与用于存积原料液的原料罐335连通，在液供给管333设置有用于从原料罐335向气化器332输送原料液的泵336。气体供给管334与用于向气化器332供给氮气的氮气供给源337连通。在气化器332的内部设置有加热器未图示，加热从原料罐335流入的原料液以使之气化。在原料气体为氟树脂例如特氟龙注册商标树脂的情况下，气化器332中的加热温度例如为180℃。然后，如此在气化器332中气化后的原料气体由从氮气供给源337供给的氮气加压输送，供给到气体供给部330。在下部腔室302的侧壁的内部，设置有对腔室300处理空间K的内部进行排气的排气路340。在由第一支承部320或者第二支承部321支承的晶片W被配置在规定处理位置时，排气路340设置于比该处理位置低的位置。排气路340与排气管未图示连接，排气管与例如真空泵等的排气装置连通。接着，说明由降低摩擦膜形成装置133进行的降低摩擦膜的形成方法。图9是表示在降低摩擦膜形成装置133中在晶片W的背面形成降低摩擦膜的情况下说明图。首先，如图9的a所示，在使下部腔室302下降的状态下，将晶片W运送到腔室300的内部。晶片W由第一支承部320支承。之后，如图9的b所示，由升降机构303使下部腔室302上升与上部腔室301密接，形成密闭的处理空间K。另外，由升降机构322使第一支承部320上升，将晶片W配置在规定处理位置。之后，一边由加热器310将晶片W加热到规定的温度例如120℃，一边从气体供给部330向该晶片W的背面供给原料气体。如此，在晶片W的背面，在被第一支承部320支承的部分以外蒸镀原料气体，形成降低摩擦膜。此外，为了促进背面与原料气体的反应，利用加热器310对晶片W进行加热。因此，晶片W的加热温度不限于120℃，若为低温则促进反应的效果减小。另外，当降低摩擦膜为氟树脂膜时，该降低摩擦膜在例如200℃分解，因此优选加热温度不足200℃。之后，如图9的c所示，由升降机构322使第二支承部321上升以支承晶片W的背面，并使第一支承部320下降。然后，通过从气体供给部330向晶片W的背面供给原料气体，在图9的b中由第一支承部320支承的部分，即在未形成降低摩擦膜的部分也蒸镀原料气体。如此，在晶片W的背面整个面形成降低摩擦膜。此外，如图9的b、c所示的那样，从气体供给部330供给原料气体时，从排气路340对处理空间K的内部进行排气。并且，由于排气路340形成于晶片W的侧方和下方，因此能够抑制原料气体绕回晶片W的正面。另外，在本实施方式中，由曝光装置202的载置台吸附保持晶片W的背面整个面，因此在该背面整个面形成有降低摩擦膜。但是，例如在载置台未吸附保持背面整个面的情况下，仅在晶片W的背面被吸附保持的部分形成降低摩擦膜即可。此外，本实施方式中的降低摩擦膜形成装置133的构成为本发明的用于执行降低摩擦膜的形成方法的一例，也可以不限于此。紫外线处理装置接着，对紫外线处理装置134、135进行说明。紫外线处理装置134相当于本发明中的前处理部，在降低摩擦膜形成装置133中在晶片W的背面形成降低摩擦膜之前，对该背面照射紫外线。晶片W的背面因该紫外线照射而活化，能够适当地形成降低摩擦膜，能够增大相对于曝光装置202的载置台的接触角。另外，紫外线处理装置135相当于本发明中的膜剥离部，对曝光处理后的晶片W的背面照射紫外线，剥离形成于该背面的降低摩擦膜。对上述紫外线处理装置134、135的构成进行说明。紫外线处理装置134、135的构成相同，因此此处说明紫外线处理装置134。图10是示意性地表示紫外线处理装置134的构成的概略的侧视图。紫外线处理装置134包括吸附保持晶片W的背面的旋转吸盘400和垫401。旋转吸盘400吸附保持晶片W的背面中心部，垫401吸附保持旋转吸盘400外侧的晶片W的背面。即，旋转吸盘400和垫401用于保持晶片W的背面的不同部分。在旋转吸盘400设置有移动机构402。旋转吸盘400构成为能够通过移动机构402以规定的速度旋转，并能够在铅直方向升降。在垫401，设置有移动机构403。垫401构成为能够由移动机构403在铅直方向升降，并能够在水平方向移动。紫外线处理装置134还包括对晶片W的背面照射紫外线的UV灯410、411。如图10的a所示，第一UV灯410设置于由旋转吸盘400保持的晶片W的外周部，对该晶片W的背面照射紫外线。如图10的b所示，第二UV灯411设置于由垫401保持的晶片W的中心部，对该晶片W的背面照射紫外线。接着，说明由紫外线处理装置134进行的紫外线处理方法。图11和图12是表示在紫外线处理装置134中对晶片W的背面照射紫外线的情况下说明图。首先，如图11所示，由旋转吸盘400吸附保持晶片W。之后，由旋转吸盘400使晶片W旋转，从第一UV灯410向晶片W的背面照射紫外线。这样一来，能够对晶片W的背面的中心部以外的部分照射紫外线。此外，此时，停止从第二UV灯411照射紫外线。之后，通过移动机构403使垫401上升来吸附保持晶片W的背面，并且通过移动机构402使旋转吸盘400下降。然后，如图12的a～c所示，通过移动机构403使保持于垫401的晶片W在水平方向的一个方向移动，并且从第二UV灯411向晶片W的背面照射紫外线。这样一来，能够对图11中未照射紫外线的晶片W的中心部照射紫外线。此外，此时，停止从第一UV灯410照射紫外线。如此，能够对晶片W的背面整个面照射紫外线。于是，在紫外线处理装置134中，通过该紫外线处理，能够使降低摩擦膜形成前的晶片W的背面活化。另外，在紫外线处理装置135中，通过该紫外线处理，能够剥离曝光处理后的晶片W的背面的降低摩擦膜。此外，本实施方式中的紫外线处理装置134、135的构成是用于执行本发明中的紫外线处理的一例，并不限于此。晶片处理方法接着，说明由如上述那样构成的基片处理系统1进行的晶片处理。图13是表示上述的晶片处理的主要步骤的例子的流程图。首先，将收纳有多片晶片W的盒C送入第一处理系统10的盒站100，载置在盒载置板111上。之后，由晶片运送装置113依次取出盒C内的各晶片W，并运送到处理站101的交接装置140。接着，晶片W被晶片运送装置150运送到背面清洗装置120，清洗晶片W的背面步骤S1。之后，晶片W被晶片运送装置150运送到下层膜形成装置122，在晶片W的正面形成下层膜步骤S2。之后，晶片W被晶片运送装置150运送到热处理装置130，进行加热处理步骤S3。此外，步骤S3中的加热处理多在高温下进行，例如多为在后述的步骤S5中形成的降低摩擦膜的分解温度以上的高温。因此，步骤S3中的加热处理在步骤S5中形成降低摩擦膜之前进行。接着，晶片W被晶片运送装置150运送到紫外线处理装置134，对晶片W的背面整个面照射紫外线已进行前处理步骤S4。该前处理方法如同图11和图12所示的那样。另外，在该前处理中，通过对晶片W的背面照射紫外线，在背面的末端形成OH基氢氧基，以使该背面活化。接着，晶片W被晶片运送装置150运送到降低摩擦膜形成装置133，在晶片W的背面整个面形成降低摩擦膜步骤S5。该降低摩擦膜的形成方法如同图9所示的那样，在晶片W的背面蒸镀原料气体。然后，由于在步骤S4中晶片W的背面活化并形成有OH基，因此在蒸镀原料气体时，能够促进原料气体对背面的反应。其结果，能够增大降低摩擦膜相对于曝光装置202的载置台的接触角。接着，晶片W被晶片运送装置150运送到催化剂处理装置123，对晶片W的背面供给催化剂以进行催化剂处理步骤S6。通过进行该催化剂处理，能够进一步促进晶片W的背面与原料气体的反应，能够缩短处理时间。此外，在上述的步骤S5中，在足够引起反应的情况下，也可以省略该步骤S6的催化剂处理。接着，晶片W被晶片运送装置150运送到交接装置141，接着被晶片运送装置113运送到规定的盒载置板111的盒C。之后，收纳有第一处理系统10中的处理结束的晶片W的盒C被运送到第二处理系统20。在第二处理系统20中，盒C被送入盒站200，并载置在盒载置板211上。之后，由晶片运送装置213依次取出盒C内的各晶片W，并运送到处理站201的交接装置242。接着，晶片W被晶片运送装置260运送到中间层膜形成装置221，在晶片W的正面形成中间层膜步骤S7。之后，晶片W被晶片运送装置260运送到热处理装置230，进行加热处理步骤S8。之后，晶片W被晶片运送装置260送回交接装置242。接着，晶片W被晶片运送装置280运送到交接装置243。之后，晶片W被晶片运送装置260运送到疏水化处理装置231，进行疏水化处理步骤S9。之后，晶片W被晶片运送装置260运送到抗蚀剂涂敷装置222，在晶片W上形成抗蚀剂膜步骤S10。之后，晶片W被晶片运送装置260运送到热处理装置230，进行预烘焙处理步骤S11。之后，晶片W被晶片运送装置260送回交接装置243。接着，晶片W被晶片运送装置280运送到交接装置245。之后，晶片W被晶片运送装置260运送到周边曝光装置232，进行周边曝光处理步骤S12。之后，晶片W被晶片运送装置260运送到背面清洗装置224，清洗晶片W的背面步骤S13。之后，晶片W被晶片运送装置260送回交接装置245。接着，晶片W被晶片运送装置280运送到交接装置242，并被往复运送装置270运送到交接装置252。之后，晶片W被晶片运送装置290运送到曝光装置202，按规定的图案进行曝光处理步骤S14。在曝光装置202中，晶片W通过升降销而载置在载置台上。此时，由升降销支承的晶片W由于其自重而外周部比中心部向下方弯曲，因此按照从外周部向中心部去的顺序载置到载置台。于是，在晶片W的背面形成有降低摩擦膜，因此晶片W以在能够载置台上滑动地方式载置在载置台，能够减少一直以来那样施加在晶片W的压力。因此，能够将晶片W吸附保持在载置台上的适当的位置，因此能够抑制晶片W要曝光的位置偏离于正常的位置。接着，晶片W被晶片运送装置290运送到交接装置252。之后，晶片W被晶片运送装置260运送到正面清洗装置223，清洗晶片W的正面步骤S15。在步骤S14的曝光处理为液浸曝光的情况下，通过清洗晶片W的正面，能够除去曝光处理中使用的处理液。之后，晶片W被晶片运送装置260运送到热处理装置230，进行曝光后烘焙处理步骤S16。之后，晶片W被晶片运送装置260运送到显影处理装置220，进行显影处理步骤S17。之后，晶片W被晶片运送装置260运送到热处理装置230，进行后烘焙处理步骤S18。接着，晶片W被晶片运送装置260运送到交接装置240，接着被晶片运送装置213运送到规定的盒载置板211的盒C。之后，收纳有第二处理系统20中的处理结束的晶片W的盒C被运送到第一处理系统10。在第一处理系统10中，盒C被送入盒站100，并载置到盒载置板111。之后，由晶片运送装置113依次取出盒C内的各晶片W，并运送到处理站101的交接装置140。接着，晶片W被晶片运送装置150运送到紫外线处理装置135，对晶片W的背面整个面照射紫外线，剥离该背面的降低摩擦膜步骤S19。具体而言，利用紫外线照射，来切断晶片W的背面的OH基与降低摩擦膜的结合，剥离降低摩擦膜。该降低摩擦膜的剥离方法如同图11和图12所示的那样。如此，通过从晶片W的背面剥离降低摩擦膜，能够抑制对后续步骤的影响，例如变得难以清洗晶片W的背面等。接着，晶片W被运送到背面清洗装置121，清洗晶片W的背面步骤S20。具体而言，通过对晶片W的背面清洗液例如IPA，来清洗晶片W的背面。在上述的步骤S19中，存在根据降低摩擦膜的种类不同而产生颗粒的可能性，在步骤S20中除去该颗粒。因此，在步骤S20之前，在能够维持晶片W的背面清洁的情况下，也可以省略该步骤S20的清洗处理。接着，晶片W被晶片运送装置150运送到交接装置141，接着被晶片运送装置113运送到规定的盒载置板111的盒C。如此，基片处理系统1中的一系列晶片处理结束。依照以上的实施方式，通过在步骤S5中在晶片W的背面形成降低摩擦膜，在之后步骤S14的曝光处理中在载置台载置晶片W时，形成于晶片W的背面的降低摩擦膜与载置台接触。这样一来，例如在由于曝光装置202的升降销而晶片W的外周部比中心部向下方弯曲的情况或者被运送到曝光装置202的晶片W本身不平坦的情况下，也能够通过降低摩擦膜来使晶片W以在载置台上滑动的方式载置在载置台上，降低一直以来那样施加于晶片W的压力。因此，能够将晶片吸附保持在载置台上的适当的位置，因此能够抑制在步骤S14中晶片W要曝光的位置偏离于正常的位置。其结果，能够改善曝光处理的套刻。本发明人对本发明的效果进行了验证。在本验证中，降低摩擦膜使用了氟树脂膜。首先，对降低摩擦膜本身的效果进行了验证。实际在晶片W的背面形成降低摩擦膜并测定了摩擦系数的情况，与不对晶片W的背面做任何处理的情况裸硅，baresilicon相比，摩擦系数降低了大约70％。接着，作为曝光处理的套刻改善的效果，验证了晶片W的变形distortion，铅直方向的翘曲的改善的效果。在本验证中，对于在晶片W的背面形成有降低摩擦膜的情况和未形成降低摩擦膜的情况，测定了晶片W被吸附保持于曝光装置202的载置台时的变形。晶片W被付与300μm的弯度，即被付与晶片的顶部上表面与底部下表面的距离为300μm的弯度。另外，按在曝光装置202侧未进行任何校正的情况、进行10参数的校正的情况，进行33参数的校正的場合、进行CPE的校正的情况这4种图案，进行了验证。若对晶片面内的变形的3σ进行测定时，在晶片W的背面形成有降低摩擦膜的情况与未形成降低摩擦膜的情况相比，变形的3σ得到了改善。具体而言，在曝光装置202侧未做任何校正的情况和进行10参数的校正的情况，变形的3σ改善了大约20％。另外，进行33参数的校正的情况，大约改善了10％，另外进行CPE的校正的情况大约改善了1％。因此，可知，当在晶片W的背面形成了降低摩擦膜时，能够改善曝光处理的套刻。另外，进行10次该条件下的曝光处理并测定变形，计算上述10次的测定结果的3σ。原本对于相同的晶片W进行10次曝光处理时，各次的变形的测定结果应当相同。但是，实际上，例如当被运送到曝光装置202的晶片W弯曲时，通过升降销将晶片W载置在载置台时，晶片W与载置台的接触方式根据例如晶片W从右侧接触还是从左侧接触的不同，而测定结果发生变化。因此，计算10次的测定结果的3σ。其结果，曝光装置202的校正无论在那种情况下，在晶片W的背面形成有降低摩擦膜的情况与未形成降低摩擦膜的情况相比，10次测定结果的3σ得到了改善。因此，可知，当在晶片W的背面形成了降低摩擦膜时，也能够提高曝光处理的套刻改善的再现性。＜第二实施方式＞接着，对本发明的第二实施方式的基片处理系统本发明中的基片处理装置的构成进行说明。图14和图15分别示意性地表示基片处理系统500的内部构成的概略的正视图和后视图。第二实施方式的基片处理系统500是将第一实施方式的第一处理系统10和第二处理系统20合体为一个系统而成的系统。即，基片处理系统500以第二处理系统20为基础，在该第二处理系统20中安装有第一处理系统10的各装置。如图14所示，背面清洗装置120、121、下层膜形成装置122、催化剂处理装置123分别配置于第四区块G4。此外，上述背面清洗装置120、121、下层膜形成装置122、催化剂处理装置123的数量或配置能够任意选择。如图15所示，热处理装置130～132、降低摩擦膜形成装置133、紫外线处理装置134、135分别配置于第五区块G5。此外，上述热处理装置130～132、降低摩擦膜形成装置133、紫外线处理装置134、135的数量或配置能够任意选择。接着，说明由如上述那样构成的基片处理系统500进行的晶片处理。图16是表示上述晶片处理的主要步骤的例子的流程图。第二实施方式中的步骤T1～T20的各处理内容与第一实施方式中的步骤S1～S20的各处理内容相同。但是，在第二实施方式中，由于使用一个基片处理系统500，因此各步骤的顺序与第一实施方式不同。在第二实施方式中，首先，依次进行晶片W的背面清洗步骤T1、形成下层膜步骤T2、加热处理步骤T3。上述步骤T1～T3分别与第一实施方式的步骤S1～S3为相同的步骤。接着，依次进行中间层膜形成步骤T4、加热处理步骤T5、疏水化处理步骤T6、形成抗蚀剂膜步骤T7、预烘焙处理步骤T8、周边曝光处理步骤T9、晶片W的背面清洗步骤T10。上述步骤T4～T10分别与第一实施方式的步骤S7～S13为相同的步骤。接着，依次进行由紫外线照射进行的前处理步骤T11、形成降低摩擦膜步骤T12、催化剂处理步骤T13。上述步骤T11～T13分别与第一实施方式的步骤S4～S6为相同的步骤。接着，依次进行曝光处理步骤T14、晶片W的正面清洗步骤T15、曝光后烘焙处理步骤T16。上述步骤T14～T16分别与第一实施方式的步骤S14～S16为相同的步骤。接着，依次进行剥离降低摩擦膜步骤T17、晶片W的正面清洗步骤T18。上述步骤T17～T18分别与第一实施方式的步骤S19～S20为相同的步骤。接着，依次进行显影处理步骤T19、后烘焙处理步骤T20。上述步骤T19～T20分别与第一实施方式的步骤S17～S18为相同的步骤。如此，基片处理系统500中的一系列晶片处理结束。如以上那样，第二实施方式的晶片处理与第一实施方式相比较，进行前处理步骤T11、形成降低摩擦膜步骤T12、催化剂处理步骤T13的顺序不同。上述步骤T11～T13若在步骤T14的曝光处理之前进行，则能够享受到与第一实施方式同样的效果，能够改善曝光处理的套刻。而且，在本实施方式中，步骤T11～T13在即将进行步骤T14的曝光处理之前进行，因此能够抑制形成于晶片W的背面的降低摩擦膜对其他步骤的影响。此外，在本实施方式中，步骤T11的前处理在步骤T6的疏水化处理之后进行。此处，在疏水化处理中，对晶片W的正面供给处理气体，不过存在该处理气体绕回晶片W的背面的情况。该情况下，在晶片W的背面进行了疏水化处理的部位，接触角局部变高，在步骤T14的曝光处理发生套刻。对于这一点，如本实施方式那样，若在疏水化处理后进行由紫外线照射进行的前处理，则能够除去晶片W的背面的疏水部分，因此能够改善曝光处理的套刻。另外，第二实施方式的晶片处理与第一实施方式相比，进行剥离降低摩擦膜步骤T17、晶片W的正面清洗步骤T18的顺序不同。鉴于降低摩擦膜的对其他步骤的影响，优选在步骤T14的曝光处理后立刻进行上述步骤T17～T18。但是，在步骤T14的曝光处理结束后，直到进行步骤T15的晶片W的正面清洗、步骤T16的曝光后烘焙处理的时间已被决定，因此在本实施方式中，在曝光后烘焙处理后剥离降低摩擦膜。＜其他实施方式＞在以上的实施方式的降低摩擦膜形成装置133中，使原料气体蒸镀在晶片W，不过也可以在晶片W的背面涂敷减摩擦用材料。在上述情况下，也可以为例如在保持着晶片W的端部的状态下，在晶片W的背面按压填充有减摩擦用材料的海绵，直接涂敷该减摩擦用材料。另外，也可以为例如使用旋涂法，一边使晶片W旋转，一边向该晶片W的背面中心部供给减摩擦用材料，进行涂敷。但是，在任何情况下，优选在涂敷减摩擦用材料后，对晶片W进行加热处理。另外，在以上的实施方式中，在紫外线处理装置135中，对晶片W的背面照射紫外线来剥离降低摩擦膜，但是不限于该降低摩擦膜的剥离方法。例如也可以向晶片W的背面供给清洗液，除去降低摩擦膜。以上，对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明不限于上述例子。作为本领域技术人员，能够明了在权利要求的范围内记载的技术思想的范畴内，能够想到各种变形例或修正例，应当了解这些当然也属于本发明的技术范围。产业上的可利用性本发明在基片的正面涂敷涂敷液对基片的正面上的被曝光了的涂敷膜进行显影时是有用的。

权利要求：1.一种基片处理装置，其在基片的正面涂敷涂敷液，对基片的正面上的被曝光的涂敷膜进行显影，所述基片处理装置的特征在于：包括在曝光处理前在该基片的背面形成降低摩擦膜的膜形成部，其中，所述降低摩擦膜用于降低所述基片的背面与在曝光处理时保持所述基片的背面的保持面的摩擦。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述膜形成部在对所述基片的正面涂敷涂敷液的涂敷处理完成后且在曝光处理前，在所述基片的背面形成所述降低摩擦膜。3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述降低摩擦膜为氟树脂膜。4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述膜形成部使降低摩擦膜用材料蒸镀在所述基片的背面。5.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述膜形成部在所述基片的背面涂敷降低摩擦膜用材料。6.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述膜形成部具有支承所述基片的背面的一部分的支承部。7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：所述支承部设置有多个，该多个支承部分别支承所述基片的背面的不同部分，所述膜形成部还包括用于使所述多个支承部单独移动的移动机构。8.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：还包括膜剥离部，其对在背面形成了所述降低摩擦膜后进行了曝光处理的所述基片，剥离所述降低摩擦膜。9.如权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：所述膜剥离部在对所述基片进行了曝光后烘焙处理后且在对所述基片进行显影处理前，剥离所述降低摩擦膜。10.如权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：所述膜剥离部对所述基片的背面照射紫外线，来剥离所述降低摩擦膜。11.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：还包括前处理部，其在所述膜形成部在所述基片的背面形成所述降低摩擦膜前，对所述基片的背面照射紫外线。12.一种基片处理方法，其在基片的正面涂敷涂敷液，对基片的正面上的被曝光了的涂敷膜进行显影，所述基片处理方法的特征在于：包括在曝光处理前在该基片的背面形成降低摩擦膜的膜形成步骤，其中，所述降低摩擦膜用于降低所述基片的背面与在曝光处理时保持所述基片的背面的保持面的摩擦。13.如权利要求12所述的基片处理方法，其特征在于：所述膜形成步骤在对所述基片的正面涂敷涂敷液的涂敷处理完成后且在曝光处理前进行。14.如权利要求12或13所述的基片处理方法，其特征在于：所述降低摩擦膜为氟树脂膜。15.如权利要求12或13所述的基片处理方法，其特征在于：在所述膜形成步骤中，使降低摩擦膜用材料蒸镀在所述基片的背面。16.如权利要求12或13所述的基片处理方法，其特征在于：在所述膜形成步骤中，在所述基片的背面涂敷降低摩擦膜用材料。17.如权利要求12或13所述的基片处理方法，其特征在于：在所述膜形成步骤中，支承所述基片的背面的一部分，在该基片的背面形成所述降低摩擦膜。18.如权利要求17所述的基片处理方法，其特征在于：在所述膜形成步骤中，改变支承所述基片的背面的部分，在该基片的背面形成所述降低摩擦膜。19.如权利要求12或13所述的基片处理方法，其特征在于：还包括膜剥离步骤，其对在所述膜形成步骤中在背面形成了所述降低摩擦膜后进行了曝光处理的所述基片，剥离所述降低摩擦膜。20.如权利要求19所述的基片处理方法，其特征在于：所述膜形成步骤在对所述基片进行了曝光后烘焙处理后且在对所述基片进行显影处理前进行。21.如权利要求19所述的基片处理方法，其特征在于：在所述膜剥离步骤中，对所述基片的背面照射紫外线，来剥离所述降低摩擦膜。22.如权利要求12或13所述的基片处理方法，其特征在于：还包括在所述膜形成步骤前对所述基片的背面照射紫外线的前处理步骤。23.一种计算机可读存储介质，其特征在于：存储有在作为控制部的计算机上运行的程序，所述控制部控制基片处理装置，以使得由所述基片处理装置执行权利要求12～22中任一项所述的基片处理方法。

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