申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2021-05-18

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN115364913B

主分类号：B01L3/00

分类号：B01L3/00;B29C65/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2022.12.09#实质审查的生效;2022.11.22#公开

摘要：本发明提供了一种热塑性芯片的键合方法，属于芯片键合技术领域，所述方法包括：通过溶剂键合的方式将两块热塑性芯片进行预键合，获得预键合体；将所述预键合体进行加压并浸没于40～80℃的水中，在0.5～5MPa压力下进行水浴键合，获得键合体。该方法能够有效改善溶剂键合中由于溶剂残留而导致的微通道变形和尺寸损失的问题，进而提高热塑性芯片的键合质量。

主权项：1.一种热塑性芯片的键合方法，其特征在于，所述方法包括：通过溶剂键合的方式将两块热塑性芯片进行预键合，获得预键合体；将所述预键合体进行加压并浸没于40～80℃的水中，在0.5～5MPa压力下进行水浴键合，获得键合体；所述通过溶剂键合的方式将两块热塑性芯片进行预键合，获得预键合体，具体包括：将两块热塑性芯片浸没在溶剂中软化1～5min；将两块所述热塑性芯片贴合并垂直于贴合面施加0.5～5MPa压力，维持压力0.5～1min，获得预键合体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种热塑性芯片的键合方法

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