申请/专利权人：湘潭大学

申请日：2021-08-23

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN113823636B

主分类号：H10B51/30

分类号：H10B51/30;H01L29/78;H01L21/34;B82Y10/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2022.01.07#实质审查的生效;2021.12.21#公开

摘要：本发明公开了一种铁电畴工程调制的二维同质结的存储单元及调控方法，属于信息存储技术领域，由下至上依次设置衬底、过渡层、下电极、第一绝缘层、铁电层、二维材料层、第二绝缘层、第三绝缘层和上电极；还包括：源极、漏极和纳米导线；所述源极和所述漏极分别位于所述二维材料层的两侧；所述纳米导线嵌于所述第二绝缘层中。同时公开了其具体调控方法。本发明提供的铁电畴工程调制的二维同质结的存储单元能够提高存储密度，降低存储单元的能耗，还能够实现小型化，并应用于柔性铁电存储器件。

主权项：1.一种铁电畴工程调制的二维同质结的存储单元，其特征在于，包括：由下至上依次设置衬底、过渡层、下电极、第一绝缘层、铁电层、二维材料层、第二绝缘层、第三绝缘层和上电极；还包括：源极、漏极和纳米导线；所述源极和所述漏极分别位于所述二维材料层的两侧；所述纳米导线嵌于所述第二绝缘层中；所述过渡层与所述下电极为外延生长，且所述过渡层的厚度小于所述下电极的厚度；所述下电极与所述第一绝缘层为外延生长，且所述第一绝缘层的厚度小于所述下电极的厚度；若所述第一绝缘层和所述铁电层在相同测试条件下，则垂直所述衬底方向的电流密度小于所述二维材料层垂直所述衬底方向和平行于所述衬底方向的电流密度，且所述二维材料层的厚度小于所述铁电层的厚度；所述铁电层为钛酸钡、钛酸铅、钛酸锆铅、铁酸铋、钛酸铋钠、铁酸镥、氧化铪、掺杂氧化铪、CuInP2S6或In2Se3中任意一种；所述铁电畴工程调制的二维同质结的存储单元的调控方法为：1确定铁电层的畴结构变化；具体包括以下步骤：11在所述下电极和所述上电极之间施加电压；根据所述下电极和所述上电极之间施加电压的电场强度方向，确定所述铁电层中形成的单畴的极化方向；12在所述下电极和所述纳米导线之间施加电压；根据所述下电极和所述纳米导线之间的电场持续的时间、强度、方向，确定所述铁电层中形成的畴结构的变化情况；2确定二维材料层中载流子类型、浓度、分布的状态；具体包括以下步骤：根据所述二维材料层n、p型特征，以及所述铁电层中形成的畴结构的变化情况，确定二维材料层中载流子类型、浓度、分布的状态；3确定二维材料层中同质结的结构状态；具体包括以下步骤：根据所述二维材料层n、p型特征，以及二维材料层中载流子类型、浓度、分布的状态，确定二维材料层中同质结的结构状态，进而确定所述源极和所述漏极之间所述二维材料层的势垒的分布情况；4确定源极和漏极之间电流的大小；具体包括以下步骤：在所述源极和所述漏极之间施加定电压；根据所述定电压，确定所述源极和所述漏极之间的电流，通过电流的大小识别存储的逻辑态；5根据所述铁电层的畴结构变化和所述二维材料层中载流子类型、浓度、分布的状态，确定所述二维材料层中同质结的结构状态，进而确定所述源极和所述漏极之间所述二维材料层的势垒的分布情况；6根据所述势垒的高度和所述势垒的宽度，确定逻辑态。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湘潭大学 一种铁电畴工程调制的二维同质结的存储单元及调控方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD