申请/专利权人：上海季丰电子股份有限公司

申请日：2024-01-16

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894703A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本申请提供了一种芯片失效定位方法、电子设备和存储介质，该方法包括：根据衬底失效位置，确定裸芯片的芯片顶面上的顶面失效位置，根据顶面失效位置，在芯片顶面上确定第一刻蚀线和第二刻蚀线，获取采用第一刻蚀线和第二刻蚀线对裸芯片进行刻蚀后得到的芯片衬底图，根据衬底失效位置和顶面失效位置，确定失效位置差，当失效位置差超过预设位置差阈值，则重新确定第一刻蚀线和或第二刻蚀线，以调整顶面失效位置，直至失效位置差不超过预设位置差阈值，以对裸芯片进行截面切割。本方案可基于高倍率的芯片失效图定位芯片的失效位置，提高了芯片失效位置的定位准确度，防止设备测量误差较大可能导致定位失败而切错截面。

主权项：1.一种芯片失效定位方法，其特征在于，包括：获取封装芯片的芯片失效图，所述芯片失效图中包括：所述封装芯片的芯片衬底，以及上电时所述封装芯片的衬底失效位置，其中，所述衬底失效位置为所述封装芯片中芯片内部的失效位置在所述封装芯片的芯片衬底上的投影位置；根据所述衬底失效位置，确定裸芯片的芯片顶面上的顶面失效位置，所述裸芯片为对所述封装芯片去除封装胶后的芯片；根据所述顶面失效位置，在所述芯片顶面上确定第一刻蚀线和第二刻蚀线，所述第一刻蚀线和所述第二刻蚀线的延长线的交点为所述顶面失效位置；获取采用所述第一刻蚀线和第二刻蚀线对所述裸芯片进行刻蚀后得到的芯片衬底图，所述芯片衬底图中包括：所述裸芯片的芯片衬底、所述第一刻蚀线和所述第二刻蚀线对应的刻蚀位置，所述第一刻蚀线和所述第二刻蚀线的刻蚀深度为从所述裸芯片的芯片顶面到所述裸芯片的芯片衬底；根据所述芯片失效图中的衬底失效位置和所述芯片衬底图中的所述顶面失效位置，确定失效位置差；当所述失效位置差超过预设位置差阈值，则重新确定所述第一刻蚀线和或所述第二刻蚀线，以调整所述顶面失效位置，直至所述失效位置差不超过所述预设位置差阈值，以对所述裸芯片进行截面切割。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海季丰电子股份有限公司 芯片失效定位方法、电子设备和存储介质

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