申请/专利权人：上海传芯半导体有限公司

申请日：2024-01-17

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894679A

主分类号：H01L21/321

分类号：H01L21/321

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明提供一种精抛光方法、掩模基版及半导体器件的制备方法。其中，所述精抛光方法是对衬底施加预设电压，以使衬底表面呈正电势；或，在衬底的表面形成导电膜层，并向导电膜层施加预设电压，以使导电膜层表面呈正电势。即，利用材料的导电性，使正电荷汇集于衬底或导电膜层的表面。且基于衬底表面的凸起结构，导电膜层的表面也具有凸起结构，则大量的正电荷会密集地汇聚于衬底或导电膜层表面的凸起结构上，有助于精准捕捉电子束，实现电子束的靶向轰击。且在电子束的轰击过程中，高能电子的动能转为热能和机械能，并作用于凸出结构上，以实现对衬底或导电膜层的原子级抛光。且相较于其他精抛设备，电子束抛光设备的成本较低，利于降低制备成本。

主权项：1.一种精抛光方法，其特征在于，包括：提供一衬底；对所述衬底施加预设电压，以使所述衬底表面呈正电势；或，在所述衬底表面形成导电膜层，并对所述导电膜层施加预设电压，以使所述导电膜层表面呈正电势；采用电子束抛光工艺至少抛光所述衬底或所述导电膜层的表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海传芯半导体有限公司 精抛光方法、掩模基版及半导体器件的制备方法

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