申请/专利权人：思而施技术株式会社

申请日：2023-03-06

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117891123A

主分类号：G03F1/26

分类号：G03F1/26;G03F1/22;G03F1/80

优先权：["20221013 KR 10-2022-0131243","20221118 CN 2022114444267"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：公开了一种用于EUV光刻的空白掩模，包含依序形成于衬底上的反射膜、罩盖膜及相移膜。所述相移膜包含含有铌Nb及铬Cr的第一层及含有钽Ta及矽Si的第二层。在所述第一层中，铌Nb的含量在20到50原子％范围内，且铬Cr的含量在10到40原子％范围内。所述空白掩模可实施极佳分辨率及NILS，且实施低DtC。

主权项：1.一种用于极紫外线EUV光刻的空白掩模，其包括衬底、形成于所述衬底上的反射膜、形成于所述反射膜上的罩盖膜及形成于所述罩盖膜上的相移膜，所述相移膜包括：形成于所述罩盖膜上且含有铌Nb的第一层，及形成于所述第一层上且含有钽Ta及矽Si中的一种或多种的第二层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 思而施技术株式会社 用于EUV光刻的相移空白掩模及光掩模

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