申请/专利权人：豪雅株式会社

申请日：2022-06-30

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117916660A

主分类号：G03F1/54

分类号：G03F1/54;G03F1/26;G03F1/30

优先权：["20210908 JP 2021-146180"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明提供具备遮光膜的掩模坯料、相移掩模、半导体器件的制造方法，所述掩模坯料具有期望的遮光性能，能够在抑制膜厚的增大的同时减少在形成图案时因干法蚀刻而产生的侧向蚀刻量，能够以良好的精度形成微细图案。所述掩模坯料在透光性基板上具备遮光膜，遮光膜由含有硅及氮的材料形成，遮光膜的内部区域的通过X射线光电子能谱法进行分析而得到的Si2p的窄谱在键能大于100eV且为101.5eV以下的范围具有最大峰，遮光膜的内部区域是除上述透光性基板侧的背面侧区域和与上述透光性基板相反侧的表面侧区域以外的区域。

主权项：1.一种掩模坯料，其在透光性基板上具备遮光膜，所述遮光膜由含有硅及氮的材料形成，所述遮光膜的内部区域的通过X射线光电子能谱法进行分析而得到的Si2p的窄谱在键能大于100eV且为101.5eV以下的范围具有最大峰，所述遮光膜的内部区域是除所述透光性基板侧的背面侧区域和与所述透光性基板相反侧的表面侧区域以外的区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 豪雅株式会社 掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法

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