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【发明公布】一种原位EBSD-DIC模拟方法及系统_华中科技大学_202410076069.6 

申请/专利权人:华中科技大学

申请日:2024-01-18

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN117892593A

主分类号:G06F30/23

分类号:G06F30/23;G06F119/02

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要:本发明属于材料科学技术领域,公开了一种原位EBSD‑DIC模拟方法及系统,建立材料的CPFEM,输出.dat文件;提取出每个分析步下每个积分点的滑移面法向量和滑移方向向量;应用LU分解方法来处理每个分析步下每个积分点的交叉乘积得到的向量;整合和处理每个分析步下每个积分点的滑移面法向量和滑移方向向量转换后的数据;对晶粒并进行平滑处理;计算每个分析步每个积分点的曲率张量和位错密度张量;计算晶粒的螺旋位错和边位错能量,可视化材料微观结构在外载荷作用下的微观结构变化、应力变化以及应变变化。本发明在分析复杂周期性载荷条件下的材料微观结构和应力‑应变行为方面,提供了一种更有效、更灵活且成本更低的解决方案。

主权项:1.一种原位EBSD-DIC模拟方法,其特征在于,包括创建高度精确的晶体塑性有限元模型CPFEM以模拟金属材料的微观结构变化,利用专业软件如MTEX、NEPER和VORINOI进行模型建立,并通过ABAQUS进行晶体塑性有限元分析,包括数据输出、处理到晶粒分析和可视化;具体步骤为:提取和处理CPFEM模型输出的数据,生成EBSD实验类似的CTF文件,运用MATLAB结合MTEX工具箱进行晶粒分布的分析和可视化,并计算关键参数如KAM值、曲率张量和位错密度张量。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华中科技大学 一种原位EBSD-DIC模拟方法及系统

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