申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-06-13

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117896988A

主分类号：H10B43/50

分类号：H10B43/50;H10B43/27;H10B41/50;H10B41/27

优先权：["20221013 KR 10-2022-0131564"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：竖直非易失性存储器件可以包括：外围电路部分，包括存储单元驱动电路和连接布线；第一氢扩散阻挡层，位于外围电路部分上方；第一绝缘层，位于第一氢扩散阻挡层上方；公共源极线层，位于第一绝缘层上方；第二氢扩散阻挡层，位于第一绝缘层上方；以及存储单元堆叠结构，位于公共源极线层和第二氢扩散阻挡层上方。

主权项：1.一种竖直非易失性存储器件，包括：外围电路部分，包括存储单元驱动电路和连接布线；第一氢扩散阻挡层，位于所述外围电路部分上方；第一绝缘层，位于所述第一氢扩散阻挡层上方；公共源极线层，位于所述第一绝缘层上方；第二氢扩散阻挡层，位于所述第一绝缘层上方；以及存储单元堆叠结构，位于所述公共源极线层和所述第二氢扩散阻挡层上方。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 具有氢扩散阻挡层的竖直非易失性存储器件及其制造方法

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