申请/专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院

申请日：2024-01-19

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117888179A

主分类号：C30B11/00

分类号：C30B11/00;C30B29/40

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明提供了一种强磁场辅助布里奇曼晶体生长炉，设置室温孔径人造磁体，将第一炉膛与样品居中地包围在孔内，人造磁体在孔径内产生磁场，磁体内环绕中轴线绕设有线圈，线圈通电产生磁场并通过调节线圈电流可调控，晶体生长过程中第一炉膛与样品始终处于可控的磁场中；第一炉膛内通过加热单元形成有温度可独立调控的第一梯度温区，梯度方向顺着Z向设置，样品能够由位移单元带动、在第一炉膛中沿着Z向穿行，穿行速度由位移单元可调控，通过在有磁第一梯度温区内的热量交换实现晶体生长。本发明能够用于生长Ga1‑xInxSb晶体，实现在陆地环境模拟太空微重力条件开展晶体材料的可控生长工艺研究。

主权项：1.一种强磁场辅助布里奇曼晶体生长炉，其特征是：以所述布里奇曼晶体生长炉中样品的位移方向为Z向，所述样品为用于生长晶体的原材料；设置一中轴线顺着Z向布置的室温孔径人造磁体，将第一炉膛与样品居中地包围在孔内，所述人造磁体在孔径内产生磁场，磁体内环绕中轴线绕设有线圈，线圈所覆盖高度区域自第一炉膛底端部延伸至超出于第一炉膛内第一梯度温区的上方，线圈通电产生磁场并通过调节线圈电流可调控，晶体生长过程中第一炉膛与样品始终处于可控的磁场中；第一炉膛内通过加热单元形成有温度可独立调控的所述第一梯度温区，梯度方向顺着Z向设置，样品能够由位移单元带动、在第一炉膛中沿着Z向穿行，穿行速度由位移单元可调控，通过在有磁第一梯度温区内的热量交换实现晶体生长。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院合肥物质科学研究院 强磁场辅助布里奇曼晶体生长炉

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