申请/专利权人:江西兆驰半导体有限公司
申请日:2024-03-14
公开(公告)日:2024-04-16
公开(公告)号:CN117894895A
主分类号:H01L33/06
分类号:H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00;H01L33/32;C30B29/40;C30B33/12;C30B33/02
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开
摘要:本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管,涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层,所述电子阻挡层包括依次层叠的AlN层、第一超晶格层和第二超晶格层;所述第一超晶格层包括交替层叠的Alx1Ga1‑x1N层和Iny1Ga1‑y1N层;所述第二超晶格层包括交替层叠的Alx2Ga1‑x2N层、Iny2Ga1‑y2N层和Iny3Ga1‑y3N层;其中,x1≥x2,y1≥y3,y2≠y3。实施本发明,可提升发光二极管的发光效率。
主权项:1.一种发光二极管外延片,包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层,其特征在于,所述电子阻挡层包括依次层叠的AlN层、第一超晶格层和第二超晶格层;所述第一超晶格层包括交替层叠的Alx1Ga1-x1N层和Iny1Ga1-y1N层;所述第二超晶格层包括交替层叠的Alx2Ga1-x2N层、Iny2Ga1-y2N层和Iny3Ga1-y3N层;其中,x1≥x2,y1≥y3,y2≠y3。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
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