申请/专利权人：朗姆研究公司

申请日：2022-08-04

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117897794A

主分类号：H01J37/32

分类号：H01J37/32

优先权：["20210819 US 63/234,999"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：一种处理用于半导体处理室中的陶瓷组件的方法，其中所述陶瓷组件包括陶瓷层压件，所述陶瓷层压件包括：基底区，其包含第一介电陶瓷材料，保护区，其中所述保护区包含第二介电陶瓷材料，以及过渡区，其位于所述保护区和所述基底区之间，其中所述过渡区包含所述第一介电陶瓷材料和所述第二介电陶瓷材料，其中所述陶瓷组件对紫外光的暴露使所述陶瓷组件的至少第一部分的光学特性改变。通过在炉中将所述陶瓷组件加热到400℃到1000℃之间的温度并且持续2小时至20小时之间的时段而提供对所述陶瓷组件的热处理，其中所述热处理使所述陶瓷组件的所述第一部分的所述光学特性改变。

主权项：1.一种处理用于半导体处理室中的陶瓷组件的方法，其中所述陶瓷组件包括陶瓷层压件，所述陶瓷层压件包括：1基底区，其包含第一介电陶瓷材料，2保护区，其位于所述基底区的第一侧，其中所述保护区包含第二介电陶瓷材料，其中所述第一介电陶瓷材料不同于所述第二介电陶瓷材料，以及3过渡区，其位于所述保护区和所述基底区之间，其中所述过渡区包含所述第一介电陶瓷材料和所述第二介电陶瓷材料，其中所述陶瓷组件对紫外光的暴露使所述陶瓷组件的至少第一部分的光学特性从第一光学状态改变为第二光学状态，所述方法包括：通过在炉中将所述陶瓷组件加热到400℃到1000℃之间的温度并且持续2小时至20小时之间的时段而提供对所述陶瓷组件的热处理，其中所述热处理使所述陶瓷组件的所述第一部分的所述光学特性从所述第二光学状态改变为第三光学状态，其中所述第三光学状态比所述第二光学状态更接近所述第一光学状态。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 朗姆研究公司 经处理的陶瓷室部件

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