申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117892687A

主分类号：G06F30/398

分类号：G06F30/398

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明公开了一种基于Momentum仿真的边界条件确定方法和系统，首先基于ADSMomentum3D工具生成所需器件的初始边界条件，基于LRRM方式构建校准件，并分别拟合背孔结构、传输线结构、MIM电容结构、LC结构，进行仿真，通过调整将仿真曲线拟合至测试所得到的结果曲线，从而确定所需器件的边界条件，最后通过拟合的LC结构对步骤4确定的边界条件进行精度验证。本发明的方案利用ADS仿真工具，结合边界条件确定方法，有效提升太赫兹MMIC芯片设计精度，进一步减少芯片迭代次数，有效降低芯片设计成本；为制作出性能优越的MMIC产品打下坚实基础。

主权项：1.一种基于Momentum仿真的边界条件确定方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、基于ADSMomentum3D工具生成所需器件的初始边界条件；步骤2、基于LRRM方式构建校准件；步骤3、基于步骤2构建的校准件，分别拟合背孔结构、传输线结构、MIM电容结构、LC结构；步骤4、基于步骤3拟合的背孔结构、传输线结构、MIM电容结构进行仿真，通过调整将仿真曲线拟合至测试所得到的结果曲线，从而确定所需器件的边界条件；步骤5、基于步骤3拟合的LC结构对步骤4确定的边界条件进行精度验证。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种基于Momentum仿真的边界条件确定方法和系统

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