申请/专利权人：乐山市京运通半导体材料有限公司

申请日：2024-02-02

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117888180A

主分类号：C30B15/00

分类号：C30B15/00;C30B29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明公开了一种基于直拉法拉晶熔料阶段的单晶提渣方法，在直拉法拉晶制备中硅料的装料和熔料阶段，包括以下步骤：S1：籽晶预热；S2：降低水冷热屏；S3：一次提渣；S4：冷却；S5：取渣；S6：二次提渣；S7：后续处理。本发明在熔料阶段机进行提渣，节约工时；冷却要求更细，能充分避免渣块炸裂；二次提渣更能有效取出原料中的杂质，提高提渣效率，有利于成晶。

主权项：1.一种基于直拉法拉晶熔料阶段的单晶提渣方法，其特征在于，在直拉法拉晶制备中硅料的装料和熔料阶段，包括以下步骤：S1：籽晶预热：待最后一桶硅料加入坩埚内，将籽晶提升至硅液面上方，对籽晶进行分段预热；S2：降低水冷热屏：坩埚中未熔料的硅料线性尺寸在100～180mm时，降低水冷热屏，使水冷热屏的底端高于未熔料的硅料顶部40mm～60mm；S3：一次提渣：下降籽晶，使籽晶的底部浸入硅液再提起，连续浸硅2～3次；S4：冷却：将S3步骤提渣后的籽晶向上提升，使籽晶底部粘渣的渣块依次在水冷热屏的底部、中部和上沿进行分段冷却；S5：取渣：将冷却后的渣块提升至副室内冷却，冷却完成后，取出渣块；S6：二次提渣：S5步骤结束后，硅液表面存在漂浮杂质时，进行结晶提渣；S7：后续处理，二次提渣完成后，按直拉法单晶的常规工艺依次完成引晶、放肩、转肩、等径、收尾和停炉工序，制备得到硅单晶成品。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 乐山市京运通半导体材料有限公司 一种基于直拉法拉晶熔料阶段的单晶提渣方法

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