申请/专利权人：福建华佳彩有限公司

申请日：2019-04-29

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN110112144B

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12;H10K59/131;H10K59/121;H10K50/81;H10K71/60;H01L21/84

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2019.09.03#实质审查的生效;2019.08.09#公开

摘要：本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种高分辨率显示的TFT结构及其制备方法，包括TFT区域结构，所述TFT区域结构包括玻璃层、第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层、第二半导体层、第三金属层、第五绝缘层、第一有机层、第四金属层、第二有机层和第五金属层，通过将第一半导体层和第二半导体层设置在不同结构层，能够缩小亚像素补偿电路设计需求的尺寸，从而提升面板的分辨率。

主权项：1.一种高分辨率显示的TFT结构，包括TFT区域结构，其特征在于，所述TFT区域结构包括玻璃层，在所述TFT区域结构的玻璃层表面上依次层叠设置有第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层、第二半导体层、第三金属层、第五绝缘层、第一有机层、第四金属层、第二有机层和第五金属层，所述TFT区域结构的第二绝缘层上设有第一过孔，所述TFT区域结构的第三绝缘层上设有第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔相对设置且连通，所述第一过孔和第二过孔中均填充有第二金属层，所述第二金属层与所述第一半导体层接触，所述TFT区域结构的第五绝缘层上设有第三过孔，所述TFT区域结构的第一有机层上设有第四过孔，所述第四过孔与所述第三过孔相对设置且连通，所述第三过孔和所述第四过孔中均填充有第四金属层，所述第四金属层与所述TFT区域结构的第三金属层远离TFT区域结构的玻璃层的一侧面接触；所述TFT区域结构还包括第六绝缘层，所述第六绝缘层设置在所述TFT区域结构的第四绝缘层和第三金属层之间，且分别与所述TFT区域结构的第四绝缘层远离TFT区域结构的玻璃层的一侧面和TFT区域结构的第三金属层靠近TFT区域结构的玻璃层的一侧面接触，所述第六绝缘层上设有第五过孔，所述第五过孔中填充有第三金属层，所述第三金属层与所述第二半导体层接触；还包括电容区域结构，所述电容区域结构包括玻璃层，在所述电容区域结构的玻璃层表面上依次层叠设置有第一绝缘层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层、第三金属层、第五绝缘层、第一有机层、第四金属层、第二有机层和第五金属层，所述电容区域结构的第三绝缘层上设有第六过孔，所述电容区域结构的第四绝缘层上设有第七过孔，所述第六过孔和第七过孔相对设置且连通，所述第六过孔和第七过孔中均填充有第三金属层，所述第三金属层与所述电容区域结构的第一金属层远离电容区域结构的玻璃层的一侧面接触；所述TFT区域结构的第二有机层设有第九过孔，所述第九过孔填充有有机发光材料层，所述有机发光材料层与所述TFT区域结构的第四金属层远离TFT区域结构的玻璃层的一侧面接触。

全文数据：一种高分辨率显示的TFT结构及其制备方法技术领域本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种高分辨率显示的TFT结构及其制备方法。背景技术有源矩阵有机发光二极体Active-matrixorganiclight-emittingdiode，缩写为AMOLED，随着AMOLED屏幕快速抢占市场，如何提升AMOLED显示屏分辨率及显示品质显得非常迫切。现有AMOLED补偿电路TFT半导体层均位于同层，其中AMOLED补偿电路中OLED驱动TFT希望拥有适合的亚阈值摆幅，有利于调整AMOLED灰阶显示工作于线性区，但其它TFT又希望拥有小的亚阈值摆幅工作于饱和区以实现快速Vth补偿响应，这两类TFT对亚阈值摆幅的需求彼此矛盾。发明内容本发明所要解决的技术问题是：一种高分辨率显示的TFT结构及其制备方法。为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：一种高分辨率显示的TFT结构，包括TFT区域结构，所述TFT区域结构包括玻璃层，在所述TFT区域结构的玻璃层表面上依次层叠设置有第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层、第二半导体层、第三金属层、第五绝缘层、第一有机层、第四金属层、第二有机层和第五金属层，所述TFT区域结构的第二绝缘层上设有第一过孔，所述TFT区域结构的第三绝缘层上设有第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔相对设置且连通，所述第一过孔和第二过孔中均填充有第二金属层，所述第二金属层与所述第一半导体层接触，所述TFT区域结构的第五绝缘层上设有第三过孔，所述TFT区域结构的第一有机层上设有第四过孔，所述第四过孔与所述第三过孔相对设置且连通，所述第三过孔和所述第四过孔中均填充有第四金属层，所述第四金属层与所述TFT区域结构的第三金属层远离TFT区域结构的玻璃层的一侧面接触。本发明采用的第二种技术方案为：一种高分辨率显示的TFT结构的制备方法，包括以下步骤：S1、提供一TFT区域结构的玻璃层，且在玻璃层表面上覆盖有第一绝缘层；S2、形成第一半导体层，且覆盖于所述第一绝缘层表面；S3、形成第二绝缘层，且覆盖于所述第一半导体层表面，在所述第二绝缘层中形成第一过孔；S4、形成第一金属层，且覆盖于所述第二绝缘层表面；S5、形成第三绝缘层，且覆盖于所述第一金属层表面，在所述第三绝缘层中形成第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔相通；S6、分别在第一过孔和第二过孔中形成第二金属层，所述第二金属层覆盖于所述第三绝缘层表面且与所述第一半导体层远离玻璃层的一侧面接触；S7、形成第四绝缘层，且覆盖于所述第二金属层表面；S8、形成第二半导体层，且覆盖于所述第四绝缘层表面；S9、形成第三金属层，且覆盖于所述第二半导体层表面；S10、形成第五绝缘层，且覆盖于所述第三金属层表面，在所述第五绝缘层中形成第三过孔；S11、形成第一有机层，且覆盖于所述第五绝缘层表面，在所述第五绝缘层中形成第四过孔，所述第四过孔与所述第三过孔相对设置且相通；S12、分别在第三过孔和第四过孔中形成第四金属层，所述第四金属层覆盖于所述第一有机层表面且与所述第三金属层远离玻璃层的一侧面接触；S13、形成第二有机层，且覆盖于所述第四金属层表面；S14、形成第五金属层，且覆盖于所述第二有机层表面。本发明的有益效果在于：通过在TFT区域结构设置第一金属层以形成栅极扫描信号，设置第二金属层以形成数据信号，设置第四金属层以形成有机发光二极管的阳极；设置第一半导体层和第二半导体层，且将第一半导体层和第二半导体层设置在不同结构层，能够缩小亚像素补偿电路设计需求的尺寸，从而提升面板的分辨率。本方案设计的AMOLED显示结构能够调控TFT区域结构的亚阈值摆幅即电性特性，驱动TFT因OLED灰阶控制精准需求：亚阈值摆幅值大于其它补偿电路TFT器件亚阈值摆幅和兼容阈值电压补偿的快速响应以及AMOLED灰阶显示调控。附图说明图1为根据本发明的一种高分辨率显示的TFT结构的结构示意图；图2为根据本发明的一种高分辨率显示的TFT结构的实施例二的结构示意图；图3为根据本发明的一种高分辨率显示的TFT结构的制备方法的步骤流程图；标号说明：1、电容区域结构；2、TFT区域结构；201、玻璃层；202、第一绝缘层；203、第一半导体层；204、第二绝缘层；205、第一金属层；206、第三绝缘层；207、第二金属层；208、第四绝缘层；209、第二半导体层；210、第三金属层；211、第五绝缘层；212、第一有机层；213、第四金属层；214、第二有机层；215、第五金属层；216、有机发光材料层；217、第六绝缘层。具体实施方式为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。本发明最关键的构思在于：通过在TFT区域结构设置第一半导体层和第二半导体层，且将第一半导体层和第二半导体层设置在不同结构层，能够缩小亚像素补偿电路设计需求的尺寸，从而提升面板的分辨率。请参照图1至图2，本发明提供的一种技术方案：一种高分辨率显示的TFT结构，包括TFT区域结构，所述TFT区域结构包括玻璃层，在所述TFT区域结构的玻璃层表面上依次层叠设置有第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层、第二半导体层、第三金属层、第五绝缘层、第一有机层、第四金属层、第二有机层和第五金属层，所述TFT区域结构的第二绝缘层上设有第一过孔，所述TFT区域结构的第三绝缘层上设有第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔相对设置且连通，所述第一过孔和第二过孔中均填充有第二金属层，所述第二金属层与所述第一半导体层接触，所述TFT区域结构的第五绝缘层上设有第三过孔，所述TFT区域结构的第一有机层上设有第四过孔，所述第四过孔与所述第三过孔相对设置且连通，所述第三过孔和所述第四过孔中均填充有第四金属层，所述第四金属层与所述TFT区域结构的第三金属层远离TFT区域结构的玻璃层的一侧面接触。从上述描述可知，本发明的有益效果在于：通过在TFT区域结构设置第一金属层以形成栅极扫描信号，设置第二金属层以形成数据信号，设置第四金属层以形成有机发光二极管的阳极；设置第一半导体层和第二半导体层，且将第一半导体层和第二半导体层设置在不同结构层，能够缩小亚像素补偿电路设计需求的尺寸，从而提升面板的分辨率。本方案设计的AMOLED显示结构能够调控TFT区域结构的亚阈值摆幅即电性特性，驱动TFT因OLED灰阶控制精准需求：亚阈值摆幅值大于其它补偿电路TFT器件亚阈值摆幅和兼容阈值电压补偿的快速响应以及AMOLED灰阶显示调控。进一步的，所述TFT区域结构还包括第六绝缘层，所述第六绝缘层设置在所述TFT区域结构的第四绝缘层和第三金属层之间，且分别与所述TFT区域结构的第四绝缘层远离TFT区域结构的玻璃层的一侧面和TFT区域结构的第三金属层靠近TFT区域结构的玻璃层的一侧面接触，所述第六绝缘层上设有第五过孔，所述第五过孔中填充有第三金属层，所述第三金属层与所述第二半导体层接触。由上述描述可知，通过设置第六绝缘层，能够保证TFT区域结构的第二半导体层不会受到TFT区域结构的第三金属层蚀刻的影响，降低器件调试的难度且器件的信赖性较好。进一步的，还包括电容区域结构，所述电容区域结构包括玻璃层，在所述电容区域结构的玻璃层表面上依次层叠设置有第一绝缘层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层、第三金属层、第五绝缘层、第一有机层、第四金属层、第二有机层和第五金属层，所述电容区域结构的第三绝缘层上设有第六过孔，所述电容区域结构的第四绝缘层上设有第七过孔，所述第六过孔和第七过孔相对设置且连通，所述第六过孔和第七过孔中均填充有第三金属层，所述第三金属层与所述电容区域结构的第一金属层远离电容区域结构的玻璃层的一侧面接触。由上述描述可知，通过在电容区域结构设置第一金属层和第三金属层以形成电源电压信号。进一步的，所述电容区域结构还包括第六绝缘层，所述第六绝缘层设置在所述电容区域结构的第四绝缘层和第三金属层之间，且分别与所述电容区域结构的第四绝缘层远离电容区域结构的玻璃层的一侧面和电容区域结构的第三金属层靠近电容区域结构的玻璃层的一侧面接触，所述第六绝缘层上设有第八过孔，所述第八过孔中填充有第三金属层。由上述描述可知，通过设置第六绝缘层，能够保证电容区域结构的第二半导体层不会受到电容区域结构的第三金属层蚀刻的影响，降低器件调试的难度且器件的信赖性较好。进一步的，所述电容区域结构的第一金属层、第二金属层和第三金属层构成电容器的三个极板。由上述描述可知，通过由第一金属层、第二金属层和第三金属层构成电容器的三个极板能够增加电容器的容量，从而提升面板的显示。进一步的，所述TFT区域结构的第二有机层设有第九过孔，所述第九过孔填充有有机发光材料层，所述有机发光材料层与所述TFT区域结构的第四金属层远离TFT区域结构的玻璃层的一侧面接触。由上述描述可知，在TFT区域结构设置有机发光材料层用于AMOLED的发光。请参照图3，本发明提供的另一种技术方案：一种高分辨率显示的TFT结构的制备方法，包括以下步骤：S1、提供一TFT区域结构的玻璃层，且在玻璃层表面上覆盖有第一绝缘层；S2、形成第一半导体层，且覆盖于所述第一绝缘层表面；S3、形成第二绝缘层，且覆盖于所述第一半导体层表面，在所述第二绝缘层中形成第一过孔；S4、形成第一金属层，且覆盖于所述第二绝缘层表面；S5、形成第三绝缘层，且覆盖于所述第一金属层表面，在所述第三绝缘层中形成第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔相通；S6、分别在第一过孔和第二过孔中形成第二金属层，所述第二金属层覆盖于所述第三绝缘层表面且与所述第一半导体层远离玻璃层的一侧面接触；S7、形成第四绝缘层，且覆盖于所述第二金属层表面；S8、形成第二半导体层，且覆盖于所述第四绝缘层表面；S9、形成第三金属层，且覆盖于所述第二半导体层表面；S10、形成第五绝缘层，且覆盖于所述第三金属层表面，在所述第五绝缘层中形成第三过孔；S11、形成第一有机层，且覆盖于所述第五绝缘层表面，在所述第五绝缘层中形成第四过孔，所述第四过孔与所述第三过孔相对设置且相通；S12、分别在第三过孔和第四过孔中形成第四金属层，所述第四金属层覆盖于所述第一有机层表面且与所述第三金属层远离玻璃层的一侧面接触；S13、形成第二有机层，且覆盖于所述第四金属层表面；S14、形成第五金属层，且覆盖于所述第二有机层表面。进一步的，步骤S13还包括：在所述第二有机层中形成第九过孔；在第九过孔中形成有机发光材料层，所述有机发光材料层与所述第四金属层远离玻璃层的一侧面接触。从上述描述可知，在TFT区域结构设置有机发光材料层用于AMOLED的发光。请参照图1，本发明的实施例一为：一种高分辨率显示的TFT结构，包括TFT区域结构2，所述TFT区域结构2包括玻璃层201，在所述TFT区域结构2的玻璃层201表面上依次层叠设置有第一绝缘层202、第一半导体层203、第二绝缘层204、第一金属层205、第三绝缘层206、第二金属层207、第四绝缘层208、第二半导体层209、第三金属层210、第五绝缘层211、第一有机层212、第四金属层213、第二有机层214和第五金属层215，所述TFT区域结构2的第二绝缘层204上设有两个第一过孔，所述TFT区域结构2的第三绝缘层206上设有两个第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔相对设置且连通，两个所述第一过孔和两个第二过孔中均填充有第二金属层207，所述第二金属层207与所述第一半导体层203接触，所述TFT区域结构2的第五绝缘层211上设有一个第三过孔，所述TFT区域结构2的第一有机层212上设有一个第四过孔，所述第四过孔与所述第三过孔相对设置且连通，所述第三过孔和所述第四过孔中均填充有第四金属层213，所述第四金属层213与所述TFT区域结构2的第三金属层210远离TFT区域结构2的玻璃层201的一侧面接触。还包括电容区域结构1，所述电容区域结构1包括玻璃层201，在所述电容区域结构1的玻璃层201表面上依次层叠设置有第一绝缘层202、第二绝缘层204、第一金属层205、第三绝缘层206、第二金属层207、第四绝缘层208、第三金属层210、第五绝缘层211、第一有机层212、第四金属层213、第二有机层214和第五金属层215，所述电容区域结构1的第三绝缘层206上设有一个第六过孔，所述电容区域结构1的第四绝缘层208上设有一个第七过孔，所述第六过孔和第七过孔相对设置且连通，所述第六过孔和第七过孔中均填充有第三金属层210，所述第三金属层210与所述电容区域结构1的第一金属层205远离电容区域结构1的玻璃层201的一侧面接触。所述电容区域结构1的第一金属层205、第二金属层207和第三金属层210构成电容器的三个极板。传统的电容器由第一金属层和第二金属层构成电容器的两个极板。所述TFT区域结构2的第二有机层214设有一个第九过孔，所述第九过孔填充有有机发光材料层216，所述有机发光材料层216与所述TFT区域结构2的第四金属层213远离TFT区域结构2的玻璃层201的一侧面接触。所述TFT区域结构2的第一金属层205用以形成栅极扫描信号，所述TFT区域结构2的第二金属层207用以形成数据信号，所述TFT区域结构2的第四金属层213用以形成有机发光二极管的阳极，所述电容区域结构1的第一金属层205和第三金属层210均用以形成电源电压信号。请参照图2，本发明的实施例二为：实施例二与实施例一的区别在于：所述TFT区域结构2还包括第六绝缘层217，所述第六绝缘层217设置在所述TFT区域结构2的第四绝缘层208和第三金属层210之间，且分别与所述TFT区域结构2的第四绝缘层208远离TFT区域结构2的玻璃层201的一侧面和TFT区域结构2的第三金属层210靠近TFT区域结构2的玻璃层201的一侧面接触，所述第六绝缘层217上设有一个第五过孔，所述第五过孔中填充有第三金属层210，所述第三金属层210与所述第二半导体层209接触。所述电容区域结构1还包括第六绝缘层217，所述第六绝缘层217设置在所述电容区域结构1的第四绝缘层208和第三金属层210之间，且分别与所述电容区域结构1的第四绝缘层208远离电容区域结构1的玻璃层201的一侧面和电容区域结构1的第三金属层210靠近电容区域结构1的玻璃层201的一侧面接触，所述第六绝缘层217上设有第八过孔，所述第八过孔中填充有第三金属层210。请参照图3，本发明的实施例三为：一种高分辨率显示的TFT结构的制备方法，包括以下步骤：S1、提供一TFT区域结构2的玻璃层201，且在玻璃层201表面上覆盖有第一绝缘层202；S2、形成第一半导体层203，且覆盖于所述第一绝缘层202表面；S3、形成第二绝缘层204，且覆盖于所述第一半导体层203表面，在所述第二绝缘层204中形成第一过孔；S4、形成第一金属层205，且覆盖于所述第二绝缘层204表面；S5、形成第三绝缘层206，且覆盖于所述第一金属层205表面，在所述第三绝缘层206中形成第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔相通；S6、分别在第一过孔和第二过孔中形成第二金属层207，所述第二金属层207覆盖于所述第三绝缘层206表面且与所述第一半导体层203远离玻璃层201的一侧面接触；S7、形成第四绝缘层208，且覆盖于所述第二金属层207表面；S8、形成第二半导体层209，且覆盖于所述第四绝缘层208表面；S9、形成第三金属层210，且覆盖于所述第二半导体层209表面；S10、形成第五绝缘层211，且覆盖于所述第三金属层210表面，在所述第五绝缘层211中形成第三过孔；S11、形成第一有机层212，且覆盖于所述第五绝缘层211表面，在所述第五绝缘层211中形成第四过孔，所述第四过孔与所述第三过孔相对设置且相通；S12、分别在第三过孔和第四过孔中形成第四金属层213，所述第四金属层213覆盖于所述第一有机层212表面且与所述第三金属层210远离玻璃层201的一侧面接触；S13、形成第二有机层214，且覆盖于所述第四金属层213表面；S14、形成第五金属层215，且覆盖于所述第二有机层214表面。步骤S13还包括：在所述第二有机层214中形成第九过孔；在第九过孔中形成有机发光材料层216，所述有机发光材料层216与所述第四金属层213远离玻璃层201的一侧面接触。在实际工艺施作中，所述TFT区域结构2的玻璃层201与所述电容区域结构1的玻璃层201为分布在不同区域的同一层玻璃层；所述TFT区域结构2的第一绝缘层202与所述电容区域结构1的第一绝缘层202为分布在不同区域的同一层第一绝缘层；所述TFT区域结构2的第一半导体层203与所述电容区域结构1的第一半导体层203为分布在不同区域的同一层第一半导体层；所述TFT区域结构2的第二绝缘层204与所述电容区域结构1的第二绝缘层204为分布在不同区域的同一层第二绝缘层；所述TFT区域结构2的第一金属层205与所述电容区域结构1的第一金属层205为分布在不同区域的同一层第一金属层；所述TFT区域结构2的第三绝缘层206与所述电容区域结构1的第三绝缘层206为分布在不同区域的同一层第三绝缘层；所述TFT区域结构2的第二金属层207与所述电容区域结构1的第二金属层207为分布在不同区域的同一层第二金属层；所述TFT区域结构2的第四绝缘层208与所述电容区域结构1的第四绝缘层208为分布在不同区域的同一层第四绝缘层；所述TFT区域结构2的第二半导体层209与所述电容区域结构1的第二半导体层209为分布在不同区域的同一层第二半导体层；所述TFT区域结构2的第三金属层210与所述电容区域结构1的第三金属层210为分布在不同区域的同一层第三金属层；所述TFT区域结构2的第五绝缘层211与所述电容区域结构1的第五绝缘层211为分布在不同区域的同一层第五绝缘层；所述TFT区域结构2的第一有机层212与所述电容区域结构1的第一有机层212为分布在不同区域的同一层第一有机层；所述TFT区域结构2的第四金属层213与所述电容区域结构1的第四金属层213为分布在不同区域的同一层第四金属层；所述TFT区域结构2的第二有机层214与所述电容区域结构1的第二有机层214为分布在不同区域的同一层第二有机层；所述TFT区域结构2的第五金属层215与所述电容区域结构1的第五金属层215为分布在不同区域的同一层第五金属层；所述TFT区域结构2的第六绝缘层217与所述电容区域结构1的第六绝缘层217为分布在不同区域的同一层第六绝缘层。综上所述，本发明提供的一种高分辨率显示的TFT结构及其制备方法，通过在TFT区域结构设置第一金属层以形成栅极扫描信号，设置第二金属层以形成数据信号，设置第四金属层以形成有机发光二极管的阳极；设置第一半导体层和第二半导体层，且将第一半导体层和第二半导体层设置在不同结构层，能够缩小亚像素补偿电路设计需求的尺寸，从而提升面板的分辨率。本方案设计的AMOLED显示结构能够调控TFT区域结构的亚阈值摆幅即电性特性，驱动TFT因OLED灰阶控制精准需求：亚阈值摆幅值大于其它补偿电路TFT器件亚阈值摆幅和兼容阈值电压补偿的快速响应以及AMOLED灰阶显示调控。以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

权利要求：1.一种高分辨率显示的TFT结构，包括TFT区域结构，其特征在于，所述TFT区域结构包括玻璃层，在所述TFT区域结构的玻璃层表面上依次层叠设置有第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层、第二半导体层、第三金属层、第五绝缘层、第一有机层、第四金属层、第二有机层和第五金属层，所述TFT区域结构的第二绝缘层上设有第一过孔，所述TFT区域结构的第三绝缘层上设有第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔相对设置且连通，所述第一过孔和第二过孔中均填充有第二金属层，所述第二金属层与所述第一半导体层接触，所述TFT区域结构的第五绝缘层上设有第三过孔，所述TFT区域结构的第一有机层上设有第四过孔，所述第四过孔与所述第三过孔相对设置且连通，所述第三过孔和所述第四过孔中均填充有第四金属层，所述第四金属层与所述TFT区域结构的第三金属层远离TFT区域结构的玻璃层的一侧面接触。2.根据权利要求1所述的高分辨率显示的TFT结构，其特征在于，所述TFT区域结构还包括第六绝缘层，所述第六绝缘层设置在所述TFT区域结构的第四绝缘层和第三金属层之间，且分别与所述TFT区域结构的第四绝缘层远离TFT区域结构的玻璃层的一侧面和TFT区域结构的第三金属层靠近TFT区域结构的玻璃层的一侧面接触，所述第六绝缘层上设有第五过孔，所述第五过孔中填充有第三金属层，所述第三金属层与所述第二半导体层接触。3.根据权利要求1所述的高分辨率显示的TFT结构，其特征在于，还包括电容区域结构，所述电容区域结构包括玻璃层，在所述电容区域结构的玻璃层表面上依次层叠设置有第一绝缘层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层、第三金属层、第五绝缘层、第一有机层、第四金属层、第二有机层和第五金属层，所述电容区域结构的第三绝缘层上设有第六过孔，所述电容区域结构的第四绝缘层上设有第七过孔，所述第六过孔和第七过孔相对设置且连通，所述第六过孔和第七过孔中均填充有第三金属层，所述第三金属层与所述电容区域结构的第一金属层远离电容区域结构的玻璃层的一侧面接触。4.根据权利要求3所述的高分辨率显示的TFT结构，其特征在于，所述电容区域结构还包括第六绝缘层，所述第六绝缘层设置在所述电容区域结构的第四绝缘层和第三金属层之间，且分别与所述电容区域结构的第四绝缘层远离电容区域结构的玻璃层的一侧面和电容区域结构的第三金属层靠近电容区域结构的玻璃层的一侧面接触，所述第六绝缘层上设有第八过孔，所述第八过孔中填充有第三金属层。5.根据权利要求3-4任意一项所述所述的高分辨率显示的TFT结构，其特征在于，所述电容区域结构的第一金属层、第二金属层和第三金属层构成电容器的三个极板。6.根据权利要求1所述的高分辨率显示的TFT结构，其特征在于，所述TFT区域结构的第二有机层设有第九过孔，所述第九过孔填充有有机发光材料层，所述有机发光材料层与所述TFT区域结构的第四金属层远离TFT区域结构的玻璃层的一侧面接触。7.一种权利要求1所述的高分辨率显示的TFT结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供一TFT区域结构的玻璃层，且在玻璃层表面上覆盖有第一绝缘层；S2、形成第一半导体层，且覆盖于所述第一绝缘层表面；S3、形成第二绝缘层，且覆盖于所述第一半导体层表面，在所述第二绝缘层中形成第一过孔；S4、形成第一金属层，且覆盖于所述第二绝缘层表面；S5、形成第三绝缘层，且覆盖于所述第一金属层表面，在所述第三绝缘层中形成第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔相通；S6、分别在第一过孔和第二过孔中形成第二金属层，所述第二金属层覆盖于所述第三绝缘层表面且与所述第一半导体层远离玻璃层的一侧面接触；S7、形成第四绝缘层，且覆盖于所述第二金属层表面；S8、形成第二半导体层，且覆盖于所述第四绝缘层表面；S9、形成第三金属层，且覆盖于所述第二半导体层表面；S10、形成第五绝缘层，且覆盖于所述第三金属层表面，在所述第五绝缘层中形成第三过孔；S11、形成第一有机层，且覆盖于所述第五绝缘层表面，在所述第五绝缘层中形成第四过孔，所述第四过孔与所述第三过孔相对设置且相通；S12、分别在第三过孔和第四过孔中形成第四金属层，所述第四金属层覆盖于所述第一有机层表面且与所述第三金属层远离玻璃层的一侧面接触；S13、形成第二有机层，且覆盖于所述第四金属层表面；S14、形成第五金属层，且覆盖于所述第二有机层表面。8.根据权利要求7所述的高分辨率显示的TFT结构的制备方法，步骤S13还包括：在所述第二有机层中形成第九过孔；在第九过孔中形成有机发光材料层，所述有机发光材料层与所述第四金属层远离玻璃层的一侧面接触。

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